国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)

作品数：11被引量：69H指数：4
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2500V压接式IGBT芯片的仿真与验证被引量：1
《智能电网》2016年第4期355-360,共6页李立 高明超 刘江 赵哿 王耀华 金锐 温家良 潘艳 
国家电网公司科技项目:2 500 V/600 A压接式IGBT模块关键技术研究(SGRI-WD-71-13-006)~~
基于现有工艺平台设计一款具有自主知识产权的2 500 V/50 A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。芯片有源区元胞采用平面型结构,结合器件仿真结果采用抗动态雪崩及抗闩锁设计,同时采用载流子增强技术来降低器件的饱和压降。芯片终端区采用场...
关键词：IGBT 压接封装 元胞 终端 验证 
压接型IGBT封装寄生参数对芯片开通过程中的均流影响分析被引量：4
《智能电网》2016年第4期361-366,共6页张睿 赵志斌 陈中圆 张朋 崔翔 
国家自然科学基金项目(51477048);国家电网公司科技项目:2 500 V/600 A压接式IGBT模块关键技术研究(SGRI-WD-71-13-006)~~
在压接型绝缘栅双极型晶体管(press-pack IGBT)模块内部,封装寄生参数会对芯片开通过程中的均流产生影响,找出影响较大的寄生参数并在封装设计时加以改进就显得十分必要。在分析压接型IGBT模块中封装寄生参数来源的基础上,根据有限元软...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 压接封装 寄生参数 均流 
直流电网用电力电子器件发展与展望被引量：47
《电网技术》2016年第3期663-669,共7页温家良 葛俊 潘艳 邱宇峰 陈中圆 刘先正 李金元 
国家重点基础研究发展计划项目(973项目)(2012CB215204);国家电网科技项目(SGRI-WD-71-13-006)~~
基于柔性直流输电的直流电网技术具备灵活、安全的潮流控制能力,将越来越多地成为大规模清洁能源发电、海洋群岛供电及构建新型城市电网的首选技术方案。直流电网核心装置电压源换流器、直流断路器等都利用到全控电力电子器件以实现电...
关键词：直流电网 电力电子器件 柔性直流换流阀 直流断路器 
压接式IGBT芯片的研制被引量：9
《固体电子学研究与进展》2016年第1期50-53,共4页高明超 韩荣刚 赵哿 刘江 王耀华 李立 李晓平 乔庆楠 金锐 温家良 
国家电网公司科技项目<2500V/600A压接式IGBT模块关键技术研究>(SGRI-WD-71-13-006)
基于现有工艺平台开发了一款具有自主知识产权的3 300V/50A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。该芯片元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术。为适用于压接封装,避免压力对MOS沟道的影响,在有源区淀积第二...
关键词：绝缘栅双极晶体管 元胞 终端 压接封装 
功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真
《半导体技术》2015年第1期24-28,共5页屈静 吴郁 刘钺杨 贾云鹏 匡勇 李蕊 苏洪源 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异。结果表...
关键词：快恢复二极管(FRD) 静电放电(ESD) 雪崩耐量 电压过冲 雪崩注入 
缓变场终止型IGBT特性的仿真被引量：2
《半导体技术》2015年第1期29-33,43,共6页匡勇 贾云鹏 金锐 吴郁 屈静 苏洪源 李蕊 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值...
关键词：缓变掺杂 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 通态压降 关断损耗 场终止结构 
150V电荷耦合功率MOSFET的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期902-907,共6页李蕊 胡冬青 金锐 贾云鹏 苏洪源 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研...
关键词：金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET) 变掺杂 电荷耦合 场板 低栅漏电容 
600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期908-916,共9页苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC...
关键词：p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅 
IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
《半导体技术》2014年第2期114-118,141,共6页周新田 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张惠惠 穆辛 金锐 刘钺杨 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改...
关键词：载流子局域寿命控制层(LCLC) 内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC—IGBT) 缓冲层局域寿命控制IGBT 折中特性 回跳现象 
改善高压FRD结终端电流丝化的新结构被引量：1
《电子科技》2013年第10期98-100,104,共4页吴立成 吴郁 魏峰 贾云鹏 胡冬青 金锐 査祎影 
国家自然科学资金资助项目(61176071);国家电网公司科技基金资助项目(SGRI-WD-71-13-006);教育部博士点基金新教师基金资助项目(2011110312001)
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性。结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优。...
关键词：快恢复二极管 动态雪崩 电流丝 终端结构 
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