国家重点基础研究发展计划(51327020301)

作品数：7被引量：9H指数：2
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GaN MOS-HEMT Using Ultrathin Al_2O_3 Dielectric with f_(max) of 30.8GHz被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1674-1678,共5页郝跃 岳远征 冯倩 张进城 马晓华 倪金玉 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:51327020301)~~
We report on a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor （MOS-HEMT） using atomic-layer deposited （ALD） A1203 as the gate dielectric. Through decreasing the thickness of the gate oxide to 3.5n...
关键词：A1GAN/GAN MOS-HEMT ultrathin A1203 
p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1600-1603,共4页龚欣 马琳 张晓菊 张金凤 杨燕 郝跃 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大...
关键词：GAN 物理模型 异质结双极晶体管 
Impact of strain relaxation of AlGaN barrier layer on the performance of high Al-content AlGaN/GaN HEMT
《Science China(Technological Sciences)》2006年第4期393-399,共7页YANG Yan HAO Yue ZHANG Jincheng WANG Chong FENG Qian 
This work was supported by the National Key Basic Research and Development Program(Grant No.51327020301);the National Defense Key Pre-Research.Program(Grant No.41308060106)
The effects of strain relaxation of AlGaN barrier layer on the conduction band profile,electron concentration and two-dimensional gas(2DEG)sheet charge density in a high Al-content AlGaN/GaN high electron mobility tra...
关键词：ALGAN/GAN high electron mobility transistor strain relaxation 
AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计被引量：2
《半导体技术》2006年第1期52-55,共4页林锡贵 郝跃 冯倩 张进城 
国家重大基础研究项目(51327020301)
在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反...
关键词：高电子迁移率场效应晶体管 功率放大器 ADS负载牵引 共轭匹配 
AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1610-1615,共6页张春福 郝跃 张金凤 龚欣 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaNp-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaNp-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/i-Al0.33Ga0.67N/n-GaN倒置异质结结构p-i-n光电探测器(invertedhet...
关键词：PIN光电探测器 光谱响应 太阳盲区 UV/solar选择比 极化效应 
界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响被引量：2
《物理学报》2005年第8期3810-3814,共5页张春福 郝跃 游海龙 张金凤 周小伟 
国家重点基础研究发展规划(批准号:51327020301)资助的课题~~
在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的...
关键词：ALGAN/GAN 电偶极子 光电探测器 选择比 太阳光 紫外 极化效应 光电二极管 异质结界面 分析结果 数量级 器件 UV 
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