云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家教育部博士点基金(200807010010)

国家教育部博士点基金(200807010010): 作品数：14被引量：14H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：刘红侠袁博曹磊匡潜玮马飞更多>>; 相关机构：西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《西安电子科技大学学报》《Chinese Physics B》《中国科学：信息科学》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：乘法器高K栅介质MOSFETSHFO逻辑单元更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

定点小数乘法器的低功耗算法与实现技术: 《中南大学学报（自然科学版）》2014年第1期132-141,共10页袁博刘红侠; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 针对集成电路前端设计中的定点小数乘法器,提出一种既能够优化其内部加法器数量又能优化各级加法结果位宽的低功耗算法,而且在算法的实现技术上,解决目前低功耗设计中算法自身逻辑单元引入被优化系统从而降低系统优化效果的问题。在介...; 关键词：定点小数乘法加法器数量位宽缺省逻辑单元功耗面积

针对定点小数乘法器位宽的优化算法: 《西安电子科技大学学报》2013年第5期113-118,共6页袁博刘红侠; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 提出了一种针对定点小数乘法器位宽的低功耗优化算法,阐述了其基本原理及实现方案,并通过现场可编程门阵列(FPGA)测试,验证了该算法的低功耗优化效果.在算法上,其优化指标为小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽;而在实现技术上...; 关键词：小数乘法位宽缺省逻辑单元功耗

针对乘法器内部加法运算次数的优化算法被引量：2: 《西安电子科技大学学报》2013年第3期102-108,共7页袁博刘红侠; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 提出一种针对乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为乘法器内部加法运算次数.在实现技术上,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题.该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系统运算精度、不增加...; 关键词：乘法系数加法运算数量优化逻辑单元功耗分析

小数乘法器的低功耗设计与实现被引量：1: 《数据采集与处理》2013年第3期376-381,共6页袁博刘红侠; 国家自然科学基金(60976068)资助项目;教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083)资助项目;教育部博士点基金(200807010010)资助项目; 提出一种针对小数乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为综合后小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题。该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系...; 关键词：小数乘法器低功耗设计数据宽度优化逻辑

新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究被引量：3: 《物理学报》2012年第17期470-475,共6页曹磊刘红侠; 国家自然科学基金(批准号:60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083);教育部博士点基金(批准号:200807010010)资助的课题~~; 本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了...; 关键词：自加热效应漏致势垒降低 ALN 空洞

ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响被引量：3: 《西安电子科技大学学报》2012年第2期164-167,共4页匡潜玮刘红侠樊继斌马飞张言雷; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分...; 关键词：高K栅介质二氧化铪原子层淀积生长温度氧化层缺陷

A two-dimensional analytical model of fully depleted asymmetrical dual material gate double-gate strained-Si MOSFETs: 《Journal of Semiconductors》2011年第4期70-76,共7页李劲刘红侠袁博曹磊李斌; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos60976068,60936005);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China(No708083);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(No200807010010); On the basis of the exact resultant solution of two dimensional Poisson’s equations,a new accurate two-dimensional analytical model comprising surface channel potentials,a surface channel electric field and a thresho...; 关键词：dual material gate double-gate MOSFET STRAINED-SI short-channel effect the drain-induced barrier-lowering

Numerical analysis of the self-heating effect in SGOI with a double step buried oxide: 《Journal of Semiconductors》2011年第3期42-48,共7页李斌刘红侠李劲袁博曹磊; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60976068,60936005);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project,Ministry of Education of China(No.708083);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education,China(No.200807010010); To reduce the self-heating effect of strained Si grown on relaxed SiGe-on-insulator（SGOI） n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors（nMOSFETs）,this paper proposes a novel device called double step b...; 关键词：self-heating effect step BOX SGOI mobility model numerical analysis

Two-dimensional analytical models for asymmetric fully depleted double-gate strained silicon MOSFETs: 《Chinese Physics B》2011年第1期566-572,共7页刘红侠李劲李斌曹磊袁博; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.60976068and60936005);the Cultivation Fund of the Major Science and Technology Innovation,Ministry of Education,China(Grant No.708083);Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(Grant No.200807010010);the Fundamental Research Funds for the Central Universities; This paper develops the simple and accurate two-dimensional analytical models for new asymmetric double-gate fully depleted strained-Si MOSFET. The models mainly include the analytical equations of the surface potenti...; 关键词：STRAINED-SI double-gate MOSFET surface potential short-channel effect

The study on two-dimensional analytical model for gate stack fully depleted strained Si on silicon-germanium-on-insulator MOSFETs被引量：3: 《Chinese Physics B》2010年第10期485-491,共7页李劲刘红侠李斌曹磊袁博; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60976068 and 60936005);the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project, Ministry of Education of China (Grant No. 708083);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 200807010010); Based on the exact resultant solution of two-dimensional Poisson＇s equation in strained Si and Si1-xCex layer, a simple and accurate two-dimensional.analytical model including surface channel potential, surface chann...; 关键词：silicon-germanium-on-insulator MOSFETs strained Si short channel effects the draininduced barrier-lowering

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