云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 北京市教委科技发展计划(KM200710005015)

北京市教委科技发展计划(KM200710005015): 作品数：20被引量：27H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：谢红云金冬月沈珮陈亮李佳更多>>; 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国科学院更多>>; 相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《北京工业大学学报》《物理学报》更多>>; 相关主题：SIGE_HBTHBTSIGE超宽带低噪声放大器更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管被引量：2: 《物理学报》2013年第10期270-275,共6页鲁东金冬月张万荣张瑜洁付强胡瑞心高栋张卿远霍文娟周孟龙邵翔鹏; 国家自然科学基金(批准号:61006059;60776051;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助的课题~~; 宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学...; 关键词：SIGE异质结双极晶体管 GE组分分布发射极指间距渐变技术热稳定性

一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器: 《微电子学》2013年第1期10-13,共4页邢光辉张万荣谢红云丁春宝陈亮郭振杰路志义张瑜洁周永强; 模拟集成电路重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);国家自然科学基金资助项目(60776051;61006044;61006059);北京市自然科学基金资助项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市人才强教深化计划-服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015); 提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带...; 关键词：超宽带有源衰减器可调衰减器 SIGE HBT

Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响被引量：2: 《物理学报》2013年第3期192-198,共7页张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强郭振杰邢光辉路志义; 国家自然科学基金(批准号:60776051;61006059;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助~~; 众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基...; 关键词：SiGe异质结双极型晶体管温度特性基区杂质分布 GE组分分布

基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响被引量：4: 《物理学报》2012年第13期259-265,共7页赵昕张万荣金冬月付强陈亮谢红云张瑜洁; 国家自然科学基金(批准号:60776051;61006059;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助的课题~~; 基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性...; 关键词：SiGe异质结双极晶体管(HBT) 热学特性 GE组分分布 SILVACO

采用发射极非均匀指间距技术改善功率异质结双极晶体管热稳定性的研究被引量：1: 《物理学报》2011年第7期794-798,共5页陈亮张万荣金冬月谢红云肖盈王任卿丁春宝; 国家自然科学基金(批准号:60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教计划(批准号:00200054RA001)资助的课题~~; 为了提高多发射极功率异质结双极晶体管的热稳定性,本文利用耦合热阻表征发射极指间距变化对发射极指间热耦合作用的影响,得到了耦合热阻与发射极指间距之间的变化关系,提出了发射极非均匀指间距技术.通过热电反馈模型对采用发射极非均...; 关键词：异质结双极晶体管热稳定性分析发射极非均匀间距技术功率耦合作用

能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5: 《物理学报》2011年第4期310-315,共6页肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿谢红云; 国家自然科学基金(批准号:60776051);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001)资助的课题~~; 众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流...; 关键词：SIGEHBT Ge组分热电反馈镇流电阻

3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计被引量：3: 《电子器件》2009年第2期311-314,共4页李佳张万荣谢红云金冬月沈珮甘军宁; 国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301);北京工业大学青年科研基金资助(97002013200701);北京工业大学博士科研启动费资助(52002013200701); 根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真...; 关键词：射频放大器低噪声放大器电路设计超宽带 SIGE HBTS

一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量：1: 《电子器件》2009年第1期45-48,共4页甘军宁张万荣谢红云金冬月沈珮李佳; 国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015);北京工业大学青年科研基金资助(97002013200701);北京工业大学研究生科技基金重点资助项目(YKJ-2007-3005);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301); 第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA...; 关键词：射频放大器可变增益电路设计 WCDMA SIGEHBT ADS

具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT被引量：2: 《功能材料与器件学报》2009年第1期15-19,共5页沈珮张万荣谢红云金冬月李佳甘军宁; 国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目;北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301); 本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐...; 关键词：锗硅异质结双极晶体管热耦合效应电流处理能力

基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计: 《半导体技术》2008年第5期425-427,445,共4页李佳张万荣谢红云张蔚沈珮甘军宁; 国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学青年科研基金(97002013200701);北京市自然科学基金项目(4082007); 基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系...; 关键词：硅锗异质结双极型晶体管低噪声放大器 IEEE802.11A

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