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国家自然科学基金(50532060): 作品数：12被引量：25H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：叶志镇赵炳辉朱丽萍何海平卢洋藩更多>>; 相关机构：浙江大学杭州电子科技大学更多>>; 相关期刊：《发光学报》《无机材料学报》《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：P型ZNO薄膜共掺ZNZNOPLD更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜被引量：6: 《发光学报》2010年第2期199-203,共5页林兰叶志镇龚丽别勋吕建国赵炳辉; 国家自然科学基金重点(50532060);高等学校博士学科点专项科研基金(20060335087)资助项目; 采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为...; 关键词：射频反应磁控溅射 Na-N共掺 P型ZNO薄膜退火

Room-temperature electroluminescence of p-Zn_xMg_(1-x)O:Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode: 《Journal of Semiconductors》2009年第8期1-3,共3页叶志镇张利强黄靖云张银珠朱丽萍吕斌吕建国汪雷金一政蒋杰薛雅张俊林时胜杨丹; supported by the State Key Development Program for Basic Research of China (No.2006CB604906);the National Natural Science Foundation of China (No.50532060); p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-...; 关键词：ZNO ELECTROLUMINESCENCE Na doped LED

Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第8期1433-1435,共3页叶志镇林时胜何海平顾修全陈凌翔吕建国黄靖云朱丽萍汪雷张银珠李先杭; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906);国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~; 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推...; 关键词：LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/ZnMgO多量子阱

脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能被引量：9: 《发光学报》2008年第3期486-490,共5页叶志高朱丽萍彭英姿叶志镇何海平赵炳辉; 国家“973”计划(2006CB604906);国家自然科学基金(50532060,50772099)资助项目; 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结...; 关键词：氧化锌磁性 CO掺杂脉冲激光沉积

在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜(英文)被引量：1: 《发光学报》2008年第3期491-494,共4页简二梅叶志镇刘暐昌何海平顾修全朱丽萍赵炳辉; 国家"973"计划(2006CB604906);国家自然科学基金(50532060,90601003)资助项目~~; 采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍...; 关键词：P型导电 In-N共掺直流反应磁控溅射法 ZNO薄膜

Al、N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备与性能研究: 《真空科学与技术学报》2007年第6期471-474,共4页高国华叶志镇简中祥卢洋藩胡少华赵炳辉; 国家自然科学基金重点项目(No.50532060); 采用直流反应磁控溅射方法,由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE-SEM、Hall实验、UV-VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xMgxO薄膜的结晶性能、电学和光学性能进行研究。结果表明:薄膜...; 关键词：P型Zn1-XMgxO薄膜 Al、N共掺杂法直流反应磁控溅射

Al-N共掺p型Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的性能被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第3期425-429,共5页简中祥叶志镇高国华卢洋藩赵炳辉曾昱嘉朱丽萍; 国家自然科学重点基金(批准号:50532060);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906)资助项目; 利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜...; 关键词：ZNMGO P型掺杂薄膜

生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期275-278,共4页卢洋藩叶志镇曾昱嘉徐伟中朱丽萍赵炳辉; 国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目; 研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.; 关键词：ZNO P型掺杂金属有机化学气相沉积射频等离子体

脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期322-325,共4页张银珠叶志镇吕建国何海平顾修全赵炳辉; 国家自然科学基金资助项目(批准号:50532060,50572095); 采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了...; 关键词：Li-N双受主共掺杂 p-ZnO 脉冲激光沉积

PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期329-332,共4页顾修全朱丽萍叶志镇何海平张银珠赵炳辉; 国家自然科学基金资助项目(批准号:50532060); 使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中...; 关键词：PLD ZNO 能带工程纳米材料

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