湖北省自然科学基金(2003ABA087)

作品数：7被引量：14H指数：2
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相关期刊：《微电子学》《物理学报》《固体电子学研究与进展》《华中科技大学学报（自然科学版）》更多>>
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深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟
《华中科技大学学报（自然科学版）》2007年第8期33-36,共4页季峰 徐静平 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金资助项目(60376019);湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087)
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 蒙特卡罗 散射率 自由飞行时间 
超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
《固体电子学研究与进展》2007年第4期545-549,共5页许胜国 徐静平 季峰 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确...
关键词：隧穿电流 自洽解 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 超薄栅介质 
表面处理对HfO_2栅介质MOS电容界面特性的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第3期305-308,共4页徐静平 李艳萍 许胜国 陈卫兵 季峰 
国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目
在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。...
关键词：二氧化铪 金属-绝缘层-半导体 界面态密度 边界陷阱电荷 三氯乙烯 
表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量：2
《微电子学》2006年第4期441-445,共5页许胜国 徐静平 李艳萍 陈卫兵 季峰 
国家自然科学基金资助项目(60376019);湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087)
采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要...
关键词：HFO2 MOS器件 栅极漏电流 SILC效应 界面态 氧化物陷阱 
小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型被引量：5
《物理学报》2006年第10期5036-5040,共5页陈卫兵 徐静平 邹晓 李艳萍 许胜国 胡致富 
国家自然科学基金(批准号:60376019);湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA087)资助的课题.~~
基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构M...
关键词：隧穿电流 MOSFET 量子机理 解析模型 
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型被引量：4
《物理学报》2006年第7期3670-3676,共7页李艳萍 徐静平 陈卫兵 许胜国 季峰 
国家自然科学基金(批准号:60376019);湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA087)资助的课题.~~
通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精...
关键词：阈值电压 量子效应 短沟道效应 高K栅介质 
高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析被引量：2
《固体电子学研究与进展》2004年第4期417-421,共5页陈卫兵 徐静平 邹晓 李艳萍 赵寄 
国家自然科学基金资助 (60 3 760 19);湖北省自然科学基金资助 (2 0 0 3ABA0 87)
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考...
关键词：高K栅介质 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阈值电压 亚阈斜率 
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