国家自然科学基金(61106130)

作品数：8被引量：10H指数：2
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Thin-barrier enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT using ALD Al_2O_3 as gate insulator被引量：2
《Journal of Semiconductors》2015年第9期62-65,共4页王哲力 周建军 孔月婵 孔岑 董逊 杨洋 陈堂胜 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61474101,61106130);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province of China(No.BK20131072)
A high-performance enhancement-mode （E-mode） gallium nitride （GaN）-based metal-insulator- semiconductor high electron mobility transistor （MIS-HEMT） that employs a 5-nm-thick aluminum gallium nitride （Al0.3Ga0...
关键词：enhancement-mode （E-mode） AIGAN/GAN metal-insulator-semiconductor high electron mobilitytransistor （MIS-HEMT） atomic layer deposition （ALD） AL2O3 
GaN HFET的大信号射频工作模型(续)
《固体电子学研究与进展》2014年第6期503-509,共7页薛舫时 
国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130)
3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中，都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度，该表面电场会扩展到整个异质结内，形成复杂的二维电场分布。于是在自洽求解泊松方程和薛...
关键词：HFET GAN 大信号 二维泊松方程 异质结材料 模型 射频 能带计算 
高耐压Si基GaN功率电子器件
《固体电子学研究与进展》2013年第6期505-508,共4页管邦虎 孔岑 耿习娇 陆海燕 倪金玉 周建军 孔月婵 冯军 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省科技支撑资助项目(BE2012007);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516)
基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm,栅漏间距为15μm时,得到的GaN HEMT器件击穿电压530V,最大电流密...
关键词：硅基氮化镓 功率电子器件 击穿电压 
GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第4期305-311,共7页薛舫时 
国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130)
3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是...
关键词：电流崩塌 电子态 沟道 射频 HFET GAN 表面陷阱 直流电阻 
Si基GaN材料寄生导电层的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第4期312-316,共5页倪金玉 李忠辉 孔岑 周建军 陈堂胜 郁鑫鑫 
国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑计划资助项目(BE2012007)
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得...
关键词：硅基氮化镓 寄生导电层 氮化镓高电子迁移率晶体管 
Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第1期72-75,96,共5页王金 孔岑 周建军 倪金玉 陈堂胜 刘涛 
国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑资助项目(BE20120070)
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 外延层减薄 低温合金 欧姆接触 
用异质结构控制GaN阴极电子发射被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第6期517-523,560,共8页薛舫时 
国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130)
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电...
关键词：半导体阴极 铝镓氮 氮化镓异质结中的屏蔽效应 阴极表面电势剪裁 偏压控制电子亲合势的阴极 
含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN／GaNHEMT被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第6期527-531,共5页倪金玉 董逊 周建军 孔岑 李忠辉 李亮 彭大青 张东国 陆海燕 耿习娇 
国家自然科学基金资助项目(61106130)
采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料...
关键词：硅衬底 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 过渡层 
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