国家高技术研究发展计划(2006AA03A103)

作品数：10被引量：12H指数：2
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相关作者：谢自力韩平郑有炓张荣刘斌更多>>
相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>
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立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：4
《中国科学（G辑）》2010年第1期82-85,共4页赵传阵 修向前 张荣 谢自力 刘斌 刘占辉 颜怀跃 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省创新学者攀登项目(编号:BK2008019)资助
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟...
关键词：GAN 氢化物气相外延 流体动力学 
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
《物理学报》2009年第5期3416-3420,共5页张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 李弋 傅德颐 陆海 陈鹏 韩平 郑有炓 汤晨光 陈涌海 王占国 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A118);国家自然科学基金(批准号:60721063,60731160628);南京大学扬州光电研究院研发基金(批准号:2008003,2008007,2008008)资助的课题~~
研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随...
关键词：氮化铟 位错 载流子起源 局域态 
Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第9期512-515,541,共5页吴超 谢自力 张荣 张曾 刘斌 刘启佳 聂超 李弋 韩平 陈鹏 陆海 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划973资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展规划资助项目(2006AA03A103,2006AA03A11,2006AA03A142);国家自然科学基金资助项目(60721063,60676057,60731160628,60776001);国家基础科学人才培养基金资助项目(J0630316);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050284004)
采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射...
关键词：AlGaN薄膜 Mg掺杂 热退火 表面形貌 阴极射线发光 
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究被引量：1
《物理学报》2008年第11期7190-7193,共4页吴超 谢自力 张荣 张曾 刘斌 李弋 傅德颐 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628;60776001);国家基础科学人才培养基金(批准号:J0630316);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)资助的课题~~
采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致...
关键词：m面GaN 结构各向异性 偏振光致发光 
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1184-1188,共5页赵红 张荣 谢自力 刘斌 修向前 陆海 李亮 刘战辉 江若琏 韩平 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)资助项目~~
利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的III族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外可见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进...
关键词：阴极荧光联合分析系统 III族氮化物 阴极荧光特性 
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究被引量：2
《功能材料》2008年第5期727-729,共3页谢自力 张荣 江若琏 刘斌 龚海梅 赵红 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A103,2006AA03A118,2006AA03A142);国家科学基金资助项目(6039070,60421003,60676057);教育部重大资助项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050284004)
用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明...
关键词：MOCVD 超晶格 AlxGa1-xN/AlN 
Si<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
《稀有金属》2007年第S2期5-8,共4页王荣华 韩平 王琦 夏冬梅 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...
关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模 
用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
《稀有金属》2007年第S2期13-16,共4页王琦 王荣华 夏冬梅 郑有炓 韩平 谢自力 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的SiC薄层,在此...
关键词：碳化 SIC 应变SI 
Si_(1-y)C_y合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
《稀有金属》2007年第z1期5-8,共4页王荣华 韩平 王琦 夏冬梅 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...
关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模 
用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
《稀有金属》2007年第z1期13-16,共4页王琦 王荣华 夏冬梅 郑有炓 韩平 谢自力 
国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此...
关键词：碳化 SIC 应变SI 
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