云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(10175030)

国家自然科学基金(10175030): 作品数：13被引量：54H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：贺德衍张佩峰郑小平祁菁刘军更多>>; 相关机构：兰州大学兰州交通大学甘肃省国家税务局更多>>; 相关期刊：《兰州大学学报（自然科学版）》《材料科学与工艺》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》《Science Bulletin》更多>>; 相关主题：计算机模拟薄膜生长相对密度电感耦合粗糙度更多>>; 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究被引量：3: 《兰州大学学报（自然科学版）》2007年第1期96-98,共3页胡海龙彭尚龙唐泽国祁菁贺德衍; 国家自然科学基金(10175030);高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助项目; 用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AAO)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用X射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况．样品呈现出良好的场电子发射稳定性,...; 关键词：纳米晶Si AAO衬底 PECVD

H_2对Ar稀释SiH_4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响被引量：3: 《物理学报》2006年第11期5959-5963,共5页祁菁金晶胡海龙高平奇袁保和贺德衍; 国家自然科学基金(批准号:10175030);高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助的课题.~~; 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、...; 关键词：低温多晶Si薄膜等离子体CVD Ar稀释SiH4 H2比例

Electron field emission from nano-crystalline Si films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature: 《Chinese Science Bulletin》2006年第5期510-514,共5页HE Deyan WANG Xiaoqiang CHEN Qiang LI Junshuai YIN Min A. V. Karabutov A. G. Kazanskii; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.10175030);Natural Science Foundation of Gansu Province(Grant No.4WS035-A72-134).; 硅薄电影被诱导地联合的血浆 CVD 在房间温度扔。拉曼光谱和原子力量显微镜学被用来描绘样品的结构和地形学。在最佳血浆条件下面， nano-crystallineSi 电影与在表面上的随机的分布的高密度的 Si 尖端是成年的，这被显示出。高度和 Si...; 关键词：纳米晶硅薄膜电子场发射感应耦合等离子体化学气相沉积低温生长 ICP-CVD

电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究: 《科学通报》2006年第3期251-254,共4页贺德衍王晓强陈强栗军帅尹旻 A.V.Karabutov A.G.Kazanskii; 国家自然科学基金（批准号：10175030）;甘肃省科技攻关项目（批准号：4WS035-A72-134）的资助.; 利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相．用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面...; 关键词：ICP-CVD 纳米行Si锥场电子发射低温生长

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化被引量：5: 《物理学报》2005年第1期269-273,共5页王晓强栗军帅陈强祁菁尹旻贺德衍; 国家自然科学基金(批准号 :10 175 0 3 0 );北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室基金资助的课题~~; 利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等 .结果表明 ,用这种...; 关键词：低温生长电感耦合等离子体 X射线光电子谱硅薄膜衬底分光 CVD 电子密度结晶取向晶化

Al诱导a-Si:H薄膜的晶化被引量：9: 《真空科学与技术学报》2005年第1期57-60,共4页祁菁金晶胡海龙贺德衍; 国家自然科学基金 (No .10 175 0 3 0 ); 采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)...; 关键词：A-SI:H薄膜 SI衬底非晶硅幅度等离子体化学气相沉积晶化单晶结晶取向热处理过程成核

电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究被引量：4: 《真空科学与技术学报》2004年第6期465-468,共4页王晓强陈强栗军帅杨定宇贺德衍; 国家自然科学基金 (No .10 175 0 3 0 ); 用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积 (ICP CVD)方法在室温下制备Si薄膜。用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明 ,即使在室温下用ICP CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜 ,样品结构与源气体...; 关键词：CVD 电感耦合等离子体子集硅薄膜原子结构研究喇曼光谱室温分光 ICP

薄膜外延生长的计算机模拟被引量：14: 《物理学报》2004年第8期2687-2693,共7页郑小平张佩峰刘军贺德衍马健泰; 国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 3 0 );国家博士后科学基金 (批准号 :1863 7);兰州交通大学"青蓝"人才计划资助的课题~~; 以Cu膜为例 ,用Monte Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程 ,并提出了更加完善的模型 .在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上 ,考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程 .模拟...; 关键词：薄膜生长 Monte-Carlo算法计算机模拟近邻原子连带效应脱附

薄膜外延生长及其岛核形成的计算机模拟被引量：7: 《中国科学（G辑）》2004年第2期131-140,共10页郑小平张佩峰贺德衍刘军马健泰; 国家自然科学基金(批准号: 10175030);兰州大学博士后基金资助项目; 以Cu膜为例, 用Monte Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程. 找到了生长过程中的三个优化温度, 并研究了它们的渐近一致性, 同时对各种温度区间内表面粗糙度、相对密度随入射率的变化规律进行深入的探讨. 模拟中考虑了一些新的效应, 如...; 关键词：蒙特卡罗算法薄膜外延生长岛核计算机模拟粗糙度相对密度

利用Monte Carlo算法对薄膜生长过程的计算机模拟被引量：2: 《兰州大学学报（自然科学版）》2003年第6期29-33,共5页张佩峰午锁平郑小平刘军贺德衍岳进; 国家自然科学基金 ( 1 0 1 75 0 3 0 );教育部骨干教师基金资助项目; 用 Monte Carlo方法以 Cu为例对薄膜生长过程进行计算机模拟 .不仅对原子的吸附、迁移及脱附 3种过程采用更为合理的模型 ,还考虑这些过程发生时对近邻原子的连带效应 .在合理选择原子间相互作用势计算方法的基础上 ,改进了原子迁移激...; 关键词：MONTE CARLO方法计算机模拟薄膜生长粗糙度相对密度

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