《半导体杂志》

作品数：477被引量：454H指数：8
导出分析报告
《半导体杂志》
主办单位：电子部天津电子材料研究所；天津市电子学会
最新期次：2000年4期更多>>
发文主题：半导体半导体器件硅集成电路半导体材料更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文作者：彭英才孙以材李文臣秦世才杨瑞霞更多>>
发文机构：南开大学河北工业大学河北大学西安理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金高等学校骨干教师资助计划内蒙古自治区自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaSb半导体表面极化子基态能量的研究
《半导体杂志》2000年第4期1-4,11,共5页李子军 肖景林 
中国科学院激发态物理开放研究实验室和内蒙古高校自然科学基金项目!(A970 37)
采用L .L .P方法导出了表面极化子的基态能量 ,声子平均数 ,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对GaSb半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明 :当动量趋于零时 ,声子之间的相互作用对极化子...
关键词：表面极化子 声子 GASB 基态能量 锑化镓 
杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响
《半导体杂志》2000年第4期5-11,共7页杨瑞霞 付浚 于明 于海霞 张富强 
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,存在电势波动的情况下 ,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
关键词：非掺杂半绝缘LEC 霍耳测量 砷化镓 杂质 缺陷 
基于四位嵌入式MCU的数字调谐系统DTS0614
《半导体杂志》2000年第4期12-19,共8页居水荣 
介绍了一种基于 4位微控制器的数字调谐系统———DTS0 614的功能框图及特点 ,并对其内核部分的结构、指令系统、微操作及指令数据流等作了分析。
关键词：DTS0614 微控制器 数字调谐系统 集成电路 
电流模电路的通用单元电路被引量：4
《半导体杂志》2000年第4期20-24,共5页张鹏 赵惟莽 高清运 
高等学校骨干教师资助计划资助项目[教技司(2000)65号]
提出了电流模电路中的一个通用积木块———伴随运放。用它能把基于电压运放的电压模电路转换成电流模电路。分析了理想伴随运放的特点和应用 ,提出一种CMOS伴随运放电路 ,介绍了用它设计的电流模滤波器。
关键词：伴随运放 伴随网络 电流模电路 
电流模A/D转换器的设计与实现
《半导体杂志》2000年第4期25-28,共4页王永旭 杜曦 高清运 
高等学校骨干教师资助计划资助项目[教技司(2000)65号]
提出了一种新型 8位电流模逐次渐近型A/D转换器 ,采用 2 μm p -阱CMOS工艺参数 ,PSPICE模拟结果表明 :功耗为 8mW ,转换时间为 1μs。若改用亚微米工艺 ,则转换时间还可大大缩短。
关键词：电流模A/D转换器 逐次渐近 
用跳耦法综合开关电流带通滤波器被引量：1
《半导体杂志》2000年第4期29-33,共5页李波涛 宋健 许长喜 高清运 
高等学校骨干教师资助计划资助项目![教技司 ( 2 0 0 0 ) 65号 ]
提出了用leapfrog法设计开关电流带通滤波器的普遍方法 ,设计了一个四阶契比雪夫带通滤波器 ,并用matlab软件从信号流图级进行了模拟。
关键词：开关电流 带能滤波器 跳耦法 
微电脑时控系统
《半导体杂志》2000年第4期34-39,共6页黎新南 于青 刘硕 马文敭 
国家自然科学重大基金资助项目!( 698762 60 )
介绍的微电脑时控系统主要是按学校、工厂、机关等单位的供电要求而设计的 ,以实现对电能及设备的合理应用 ,避免繁杂的人工操作。它以 80 31单片机为核心 ,通过键盘实现人机对话 ,可完成日历、电子表功能及实时控制功能。
关键词：单片机 实时控制 计算机控制系统 
镶嵌钨的化学机械抛光的研究被引量：2
《半导体杂志》2000年第4期40-45,50,共7页刘玉岭 杨鸿波 檀柏梅 梁存龙 
国家自然科学重大基金资助项目!( 698762 60 )
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
关键词：ULSI 化学机械抛光 钨 集成电路 
多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用被引量：3
《半导体杂志》2000年第4期46-50,共5页饶瑞 徐重阳 王长安 曾祥斌 赵伯芳 周雪梅 
多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一 ,它以其独特的优点 ,在液晶显示领域中扮演着重要角色。简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。
关键词：多晶硅 薄膜晶体管 液晶显示器 AMLCD 
MOSFET开态热载流子效应可靠性被引量：1
《半导体杂志》2000年第4期51-59,共9页穆甫臣 薛静 许铭真 谭长华 
综述了近年来MOSFET的热载流子效应和可靠性问题 ,总结了几种热载流子 ,并在此基础上详细讨论了热载流子注入 (HCI)引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。
关键词：可靠性 热载流子效应 场效应晶体管 MOSFET 
全选清除导出
共48页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部