浙江大学信息与电子工程学系功率器件研究所

作品数：16被引量：15H指数：3
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发文作者：陈启秀郑海东陈去非刘海涛陈珂更多>>
发文领域：电子电信电气工程天文地球更多>>
发文主题：功率器件双极晶体管功率晶体管半导体器件晶体管更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《微电子学》《中国照明电器》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家大科学工程国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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用点扩展函数确定卫星反射后的脉冲强度
《光电工程》2001年第1期27-31,共5页范建兴 杨福民 陈启秀 
基础研究攀登项目 !(91-678-4 );国家大科学工程资助项目
卫星激光测距系统是一个非相干成象光学系统。卫星形状效应是由于卫星上不同位置的反射器对光子反射的时间不同而引起的脉冲强度重新分布的现象。非相干成象系统在等晕区内是空间不变性的光强线性系统。成象光学系统中象强度等于输入物...
关键词：点扩展函数 非相干成象 卫星激光测距系统 脉冲强度 
卫星激光测距中激光脉冲波形变化的理论分析及数值计算被引量：6
《中国科学（A辑）》2001年第1期63-69,共7页范建兴 杨福民 陈启秀 
国家基础研究攀登项目! (批准号 :91_6 78_4);国家大科学工程;国家自然科学基金!重点项目 (批准号 :198330 30 );中国科学院"九
分析了激光测距中脉冲波形变化的物理过程 ,给出了该变化的数学描述 ,讨论了脉冲波形变化对卫星质心改正 (CoM)和测距精度 (RMS)的影响 ,并对上述变化和影响进行了数值计算 .计算结果揭示了激光脉冲波形在各种因素影响下产生变化的规律...
关键词：卫星激光测距 脉冲展宽效应 卫星形状效应 激光脉冲探测 激光脉冲波 数值计算 波形变化 
SPAD的时间响应特性及其在激光测距中的应用被引量：1
《光电工程》2000年第1期40-43,共4页范建兴 杨福民 陈启秀 
:首先从 SPAD工作的物理机制出发 ,分析了 SPAD的时间响应特性 ,然后根据卫星激光测距原理 ,说明 SPAD在卫星激光测距中的应用。通过描述 SPAD时间响应特性的两个参数 ,分析SPAD的该特性对卫星激光测距精度的影响 ,并探讨减小这些影响...
关键词：雪崩光电二极管 卫星激光测距 时间响应特性 
阳极短路垂直型IGBT的优化模型
《微电子学》1999年第2期115-118,共4页刘海涛 陈启秀 
博士点专项基金
提出了一种阳极短路垂直型ＩＧＢＴ的优化设计模型，阐述了导通压降、关断时间及闭锁电流之间的折衷关系。该模型为阳极短路ＩＧＢＴ的设计提供了一种有效的方法。
关键词：功率器件 IGBT 阳极短路 优化模型 双极晶体管 
宽禁带半导体功率器件被引量：3
《半导体技术》1999年第2期1-4,8,共5页刘海涛 陈启秀 
阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
关键词：宽禁带 半导体功率器件 功率器件 碳化硅 金刚石 
横向高压功率器件的进展
《微电子学》1998年第3期145-151,共7页刘海涛 陈启秀 
浙江大学博士点专项基金
由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其...
关键词：功率器件 高压集成电路 智能功率IC MOS器件 
金刚石薄膜半导体器件被引量：5
《半导体情报》1998年第5期29-35,共7页范建兴 陈启秀 
介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相对于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题，并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。
关键词：金刚石薄膜 半导体器件 半导体材料 
生产IGBT的一种工艺──三重扩散被引量：1
《固体电子学研究与进展》1996年第1期75-79,共5页李如春 陈去非 陈启秀 
根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。
关键词：IGBT 三重扩散 器件模拟 绝缘栅 双极晶体管 
半导体器件纵向结构模拟工具
《压电与声光》1995年第4期35-38,共4页郑海东 叶润涛 
介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法，包括版图信息提取，二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图，稍加修改即可用于对Ｓｉ压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。
关键词：工艺模拟 半导体器件 纵向结构 结构 模拟 
静电屏蔽晶体管GAT的结构研究
《微电子学》1995年第3期23-26,共4页郑海东 
本文介绍了静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构与器件性能，该器件具有高耐压，高速和低饱和压降等优良特性。本文对该器件的结构作了较为详细的分析研究。
关键词：功率器件 静电屏蔽晶体管 双极晶体管 结构 
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