NMOSFET

作品数：136被引量：120H指数：5
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90nm SOI nMOSFET自加热效应研究
《半导体技术》2022年第5期369-372,380,共5页王娟娟 李江江 曾传滨 李逸帆 倪涛 罗家俊 赵发展 
国家自然科学基金资助项目(61804168)。
应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nMOSFET的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在...
关键词：绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 自加热效应 接触孔 金属互连线 
0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应
《半导体技术》2021年第8期617-622,共6页王国庆 张晋敏 吴次南 谢泉 刘凡宇 李博 杨静琦 
国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合基础[2018]1028);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015]4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC[2015]026)。
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境...
关键词：双埋氧绝缘层上硅(DSOI) 自热效应(SHE) 晶格温度 退化电流 背栅 
用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性被引量：1
《半导体技术》2021年第3期210-215,共6页王加鑫 李晓静 赵发展 曾传滨 李博 韩郑生 罗家俊 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61804168)。
研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ES...
关键词：静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温 传输线脉冲(TLP) 
单轴应变硅UTBB NMOSFET电子能谷占有率解析模型
《半导体技术》2020年第4期274-279,322,共7页王晓艳 徐小波 张林 
国家自然科学基金资助项目(61504011);陕西省自然科学基金资助项目(2018JM6067,2018JZ6004,2017JQ4025);中央高校基本科研业务费资助项目(300102328109)。
超薄体和隐埋氧化层(UTBB)全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)(UTBB FDSOI简称为UTBB)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道硅膜厚度小于体硅最大耗尽层宽度,基于传统三角形势阱近似的器件建模方法已不再适用,必须重新建立基于矩形势阱近似...
关键词：超薄体和隐埋氧化层(UTBB) 有限势阱高度 电子能谷占有率 应变 解析模型 
部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置(英文)被引量：1
《半导体技术》2009年第1期65-68,共4页卜建辉 刘梦新 胡爱斌 韩郑生 
通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置,背沟道的最坏偏置与总剂量有关。当总剂量大时,背沟道的最坏偏置是OFF偏置;当总剂量小时则是TG偏置。而NMOSFET的最坏偏...
关键词：绝缘体上硅 总剂量效应 最坏偏置 部分耗尽 辐照 
应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究
《半导体技术》2008年第S1期250-251,255,共3页张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军 
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与Si Ge层中Ge组分的关系。分析结果表明,阈值电压随S...
关键词：应变硅 阈值电压 反型层 弛豫衬底 
抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench——TCAD优化
《半导体技术》2004年第9期12-14,29,共4页李静 李惠军 
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台。在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的阈值电压及源漏穿通电压为响应变量,采用DOE方法进行仿真,并以仿真结果阐述了注入剂量及注入能量对阈值...
关键词：TAURUS WORKBENCH 超深亚微米 TCAD NMOSFET 阈值电压 穿通效应 
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