射频开关

作品数：161被引量：206H指数：7
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基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器
《固体电子学研究与进展》2022年第2期130-134,共5页单春燕 卢新民 蒋东铭 钱峰 周猛 
基于0.18μm SOI CMOS工艺研制了一款高集成度的天线调谐器芯片,该芯片集成了射频开关、电容阵列和数模混合控制电路,面积仅为1433μm×760μm。芯片核心射频电路由5 bit电容阵列和SP3T射频开关并联组成,其中电容阵列采用了基于射频开...
关键词：绝缘衬底上硅 射频开关 天线调谐器 电容阵列 
SOI射频开关测试结构特性参数分析
《固体电子学研究与进展》2017年第1期21-25,共5页刘张李 
以0.2μm SOI RF工艺平台为基础,对射频开关测试结构基本特性参数进行分析研究。研究内容包括:a)栅极和衬底通过反向二极管连接;b)浮体器件;c)衬底通过大电阻接地(HR GND);d)衬底通过大电阻连接到栅极控制端(HR,Vsub=Vg)等四种结构。比...
关键词：绝缘体上硅 射频开关 插入损耗 隔离度 谐波 
SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期246-252,共7页张志浩 黄亮 余凯 章国豪 
采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路和堆叠管子技术实现,GaAs pHEMT版本采用直流电压悬浮技术和三栅管与前馈电容技术实现。在0.9 GHz和1.9 GH...
关键词：双刀五掷射频开关 绝缘硅 高电子迁移率晶体管 插入损耗 隔离度 功率处理能力 
基于CMOS SOI工艺的射频开关设计被引量：7
《固体电子学研究与进展》2014年第2期142-145,162,共5页蒋东铭 陈新宇 许正荣 张有涛 
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻...
关键词：互补金属氧化物半导体 绝缘衬底上硅 射频开关 驱动器 集成 
内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片被引量：4
《固体电子学研究与进展》2012年第4期365-369,共5页许正荣 应海涛 李娜 李小鹏 张有涛 杨磊 
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并...
关键词：砷化镓 增强型 耗尽型 射频开关 赝配高电子迁移率晶体管 
一种非对称射频开关芯片的设计
《固体电子学研究与进展》2012年第2期135-140,共6页朱红卫 周天舒 刘国军 李丹 胡冠斌 
国家02专题资助项目(2009ZX02303)
采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18dB,隔离度为-31.88dB,在接收模式下,插损为-1.48dB,隔离度为-25.08dB,发射时P1dB大于22dBm,接收时为14dBm。由于采用...
关键词：射频开关 WiFi应用 2.4GHz 互补金属氧化物半导体工艺 
一种超低插损砷化镓射频开关被引量：3
《固体电子学研究与进展》2003年第2期199-201,共3页蒋幼泉 李拂晓 黄念宁 钮利荣 陈新宇 邵凯 杨乃彬 
报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)
关键词：砷化镓 射频开关 手机 超低插损 单刀双掷 SPDT设计 
高成品率砷化镓DPDT单片射频开关被引量：2
《固体电子学研究与进展》2003年第2期202-204,245,共4页李拂晓 蒋幼泉 陈继义 钮利荣 高建峰 邵凯 杨乃彬 
采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度...
关键词：砷化镓 DPDT 射频开关 单片开关 GAAS 手机 
用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制被引量：2
《固体电子学研究与进展》2002年第3期326-328,共3页蒋幼泉 陈继义 李拂晓 高建峰 徐中仓 邵凯 陈效建 杨乃彬 
报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
关键词：手机 砷化镓单片集成电路 双刀双掷开关 多栅场效应晶体管 
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