热载流子

作品数：305被引量：256H指数：7
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基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究
《电子学报》2024年第5期1582-1590,共9页邵红 李永顺 宋亮 金华俊 张森 
为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 热载流子注入 高温氧化层 低损耗 高可靠性 
不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究被引量：1
《电子学报》2016年第2期348-352,共5页刘斯扬 于朝辉 张春伟 孙伟锋 苏巍 张爱军 刘玉伟 吴世利 何骁伟 
航空科学基金(No.20122469);东南大学无锡分校科研引导资金
本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但...
关键词：热载流子 不同栅压应力 正反向退化 
脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究被引量：2
《电子学报》2002年第5期658-660,共3页刘红侠 郝跃 
国家 8 63资助项目 (No .863 SOC Y 3 6 1 )
本文研究了交流应力下的热载流子效应 ,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET′s的退化产生的影响 .在脉冲应力下 ,阈值电压和跨导的退化增强 .NMOSFET′s在热空穴注入后 ,热电子随后注入时 ,会有大的退化量 ,这可...
关键词：脉冲应力增强 NMOSFET 热载流子效应 
深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响被引量：1
《电子学报》2001年第2期160-163,共4页任红霞 郝跃 许冬岗 
国防预研基金! (No.99J8.1 .1 .DZD1 32 )
基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型 ,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数 ,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等 ,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析 ,并与常规平面器件的相应特性进...
关键词：槽栅NMOSFET 热载流子效应 结构参数 场效应晶体管 
一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构被引量：4
《电子学报》2000年第5期65-67,共3页陈勇 杨谟华 于奇 王向展 李竟春 谢孟贤 
国家自然科学基金资助课题 ;国防预研项目资助课题
本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上 ,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构 .即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管 ,来减小其所受电应力 .经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2 .0对倒相...
关键词：MOSFET衬底电流 热载流子效应 CMOS电路结构 
MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模被引量：1
《电子学报》1999年第7期72-75,共4页汤玉生 郝跃 
国防科技预研项目资助
小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应，需要二维模型描述．本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型．模型是横向场Ｅｙ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）的函数．二维分布模型载有较充分的物理...
关键词：二维分布模型 流函数方程 热载流子 MOS器件 
深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展被引量：6
《电子学报》1999年第2期76-80,43,共6页张卫东 郝跃 汤玉生 
国防科技电子预研项目资助
本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展．对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述．不仅对热电子，同时也对热空穴的影响进行了重点研究，为深亚微米...
关键词：深亚微米 MOSFET 热载流子 可靠性 退化 模型 
0．50微米LDD　PMOS工艺研究
《电子学报》1994年第2期96-99,共4页余山 章定康 黄敞 
为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，...
关键词：热载流子效应 MOS工艺 集成电路 
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