离子刻蚀

作品数：441被引量：769H指数：11
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基于MEMS技术的离子门设计与制备
《微纳电子技术》2024年第10期134-140,共7页任家纬 贾建 高晓光 何秀丽 
国家重点研发计划(2022YFF0708200)。
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子...
关键词：离子门 微电子机械系统(MEMS) 离子迁移谱 有限元仿真 深反应离子刻蚀 
基于ICP-RIE工艺和共晶键合技术的微引擎
《微纳电子技术》2023年第9期1481-1487,共7页周鑫 赖丽燕 李以贵 
国家自然科学基金(62104151);上海应用技术大学引进人才基金(YJ2021-59)。
针对便携式设备的电源存在能量密度不够、电池寿命短、回收利用困难以及难以实现小型化等问题,设计了一种氢气作为燃料的微型往复式引擎来替代小型电源,其整体设计尺寸为52 mm×43 mm×4 mm。利用绝缘体上硅(SOI)基板制作了微型往复式...
关键词：微型往复式引擎 燃烧室 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) 共晶键合 燃烧压 活塞 
基于介电泳微流控芯片实现amol级分子量检测
《微纳电子技术》2023年第5期770-778,共9页周博华 林琳 赖丽燕 李以贵 
国家自然科学基金(62104151)。
设计并制作了一种快速检测宫颈癌细胞C4II的微流控芯片。制作的微芯片结构是采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺制备的硅模具为核心的复合结构,微芯片中包含一个10×10的微腔室阵列,单个微腔室底面半径40μm,高度500μm,...
关键词：微流控芯片 介电泳(DEP) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) 微腔室 核酸探针 滤波片 
金刚石纳米锥坑阵列结构的制备
《微纳电子技术》2023年第1期116-123,共8页谭心 潘超 贺占清 祁晖 杨桥 
国家自然科学基金资助项目(61765012);内蒙古自然科学基金资助项目(2019MS05008);国家重点研发计划资助项目(2017YFF0207200,2017YFF0207203);内蒙古自治区科技创新指导项目(2017CXYD-2,KCBJ2018031);内蒙古科技大学青年基金项目(202/0303022006)。
采用电感耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)技术刻蚀金刚石薄膜,通过调整刻蚀功率、角度及时间等工艺参数,低成本且高效率地实现了排列整齐的圆形纳米锥坑阵列的可控化制备。对纳米锥坑的制备过程进行深入研究,发现可通过调节刻蚀角度与偏压功...
关键词：纳米锥坑 金刚石薄膜 电感耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE) 刻蚀方向性 荧光增强 
用于制备微纳米玻璃结构的加工工艺被引量：2
《微纳电子技术》2022年第3期272-277,共6页权雪玲 刘民 付学成 黄胜利 凌天宇 瞿敏妮 程秀兰 
2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400);上海交通大学决策咨询课题资助项目(JCZXSJA2018-003);上海交通大学实验室创新研究课题资助项目(16SJ-007)。
玻璃基材具备很多优点,是理想的微纳加工基材之一。随着在玻璃基材上加工的微纳结构越来越复杂,对玻璃微纳加工工艺的要求也越来越高。将现在普遍使用的半导体微纳加工工艺进行择优组合用于玻璃加工,并针对电感耦合等离子体反应离子刻蚀...
关键词：玻璃基材 微纳加工 干法刻蚀 电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE) 刻蚀选择比 
基于金属辅助化学腐蚀的大高宽比硅纳米结构制备
《微纳电子技术》2020年第12期1012-1016,1022,共6页薛焱文 杨立伟 王冠亚 牛洁斌 刘宇 李海亮 
国家重点研发计划项目(2017YFA0206002);国家自然科学基金资助项目(61804169)。
为了获得大高宽比的硅纳米结构,结合电子束光刻和等离子刻蚀方法制备厚度为5 nm/20 nm的Ti/Au微纳结构,然后以氢氟酸、去离子水和双氧水作为腐蚀液,利用各向异性金属辅助化学腐蚀制备大高宽比硅纳米结构,并进行了实验验证。研究了双氧...
关键词：金属辅助化学腐蚀 电子束光刻 等离子刻蚀 硅纳米结构 大高宽比 
多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺被引量：2
《微纳电子技术》2020年第1期66-72,共7页孙伟业 邓军 何磊磊 杜欣钊 
北京市自然科学基金资助项目(4182011);19科技创新服务能力建设(市级)资助项目(040000546319536);北京工业大学第十七届研究生科技基金资助项目(ykj-2018-00429).
基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材...
关键词：二维光栅 微米球刻蚀 量子阱 反应离子刻蚀(RIE) 多量子阱红外探测器(QWIP) 
基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备被引量：3
《微纳电子技术》2019年第7期580-585,592,共7页杨海博 戴风伟 王启东 曹立强 
航天自然科学基金资助项目(U1537208);国家02重大专项资助项目(2017ZX02315005)
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充...
关键词：转接板 异质集成 硅通孔(TSV) 先进封装 深反应离子刻蚀(DRIE) 保型性电镀 
增强型GaN HEMT凹槽栅刻蚀技术研究进展被引量：3
《微纳电子技术》2018年第10期762-767,774,共7页白欣娇 袁凤坡 李晓波 王文军 李路杰 
北京市科技重大专项资助项目(Z171100002017012)
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展，但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因。归纳了目前制备增强型器件的几种方法：P型栅、F离子注入、凹槽栅、薄势垒层和共源共栅技术等，...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 增强型 凹槽栅 反应离子刻蚀 干法刻蚀 
硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构的研制被引量：1
《微纳电子技术》2018年第3期178-182,218,共6页寇志伟 刘俊 曹慧亮 石云波 张英杰 
国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目(51727808);国家自然科学基金青年基金资助项目(51705477);山西省回国留学人员科研资助项目(2016-083);中北大学电子测试技术重点实验室开放基金(ZDSYSJ2015004)
根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 环形波动陀螺 谐振结构 深反应离子刻蚀(DRIE) 玻璃上硅(SOG)结构 
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