金属半导体

作品数：62被引量：42H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：贾护军吴东平张世理杨银堂张卫更多>>
相关机构：西安电子科技大学复旦大学南京电子器件研究所电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划高等学校骨干教师资助计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SiC MESFET高温工作寿命研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第4期331-334,共4页李理 柏松 陈刚 蒋浩 陈征 李赟 陈辰 
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散...
关键词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 平均失效时间 
4H-SiC MESFET的新型经验电容模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期33-37,共5页曹全君 张义门 张玉明 汤晓燕 吕红亮 王悦湖 
国家973项目的资助(编号为No.51327010101)
基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD...
关键词：4H-碳化硅 金属半导体场效应晶体管 大信号电容 经验模型 Levenberg-Marquardt方法 
2Gbps GaAs单片4bit数模转换器的设计与实现
《固体电子学研究与进展》2006年第1期34-37,共4页张有涛 夏冠群 高建峰 李拂晓 
详述了单片超高速2G bps G aA s 4b it数模转换器(DAC)的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准76 mm G aA s工艺线采用0.5μm全离子注入M ESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻抗实现在片50Ω匹配。4 b it DAC的微分非线性(DN L)为...
关键词：数模转换器 超高速 砷化镓 金属半导体场效应晶体管 
n沟道4H-SiC MESFET研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期177-179,218,共4页陈刚 
报告了4H-SiCMESFET的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120μmn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性为在Vds=30V时,最大漏电流密度Idss为56mA/mm,最大跨导Gm为15mS/mm;漏源击穿电压最高达150V...
关键词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 
多栅GaAs MESFET开关被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第2期212-214,248,共4页洪倩 陈新宇 郝西萍 陈继义 蒋幼泉 李拂晓 
论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d...
关键词：多栅 开关 金属半导体场效应晶体管 砷化镓 
宽带GaAs MESFET开关模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第2期189-192,共4页陈新宇 徐全胜 陈继义 陈效建 郝西萍 李拂晓 蒋幼泉 
提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。
关键词：开关模型 MESFET MMIC电路 金属半导体场效应晶体管 GAAS 砷化镓 等效电路 
Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备
《固体电子学研究与进展》1992年第3期211-215,共5页庄庆德 李明祥 钱文生 童勤义 林新民 
叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础...
关键词：分子束 金属半导体 场效应管 衬底 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部