单片低噪声放大器

作品数：29被引量：62H指数：4
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X波段单片低噪声放大器
《电子世界》2018年第9期138-139,共2页刘莹 
本文介绍了X波段8.5-10.5 GHz单片低噪声放大器的设计,给出了在片测试结果。该放大器采用三级放大,在8.5-10.5 GHz频率范围内,噪声系数典型值小于1.2dB,增益>30dB,具有3dB的正斜率,P-1大于7dBm,输入输出驻波≤1.4:1。电路芯片尺寸为:2.7...
关键词：8 5-10.5 GHZ 放大器:MMIC 
Ka波段GaN单片低噪声放大器研制被引量：3
《固体电子学研究与进展》2018年第2期81-84,94,共5页吴少兵 李建平 李忠辉 高建峰 黄念宁 
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 KA波段 电子束直写 低噪声放大器 
Ku波段GaN单片低噪声放大器的研制被引量：2
《电子与封装》2017年第6期27-30,35,共5页刘昊 彭龙新 牛超 凌志健 
研制了一款Ku波段GaN单片低噪声放大器,该放大器采用了GaN 0.25μm Ku功率工艺,工作电压为10 V。在12~18 GHz频带内,噪声NF≤2.9 d B,增益G≥20 d B,输入驻波比VSWR1≤1.8,输出驻波比VSWR2≤1.5。该芯片在16 GHz下,承受38 d Bm的大功率...
关键词：低噪声放大器 耐功率 GAN 单片 
低功耗单片低噪声放大器芯片被引量：5
《浙江工业大学学报》2016年第6期624-627,共4页周守利 俞俊学 陈伟 熊德平 
广东省重大科技计划资助项目(2015B010112002);广州市科技计划项目(201504290917571)
基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯...
关键词：低噪声放大器 电流复用 低功耗 有源偏置 鲁棒性 
UHF/SHF单片低噪声放大器的设计被引量：2
《微电子学与计算机》2016年第7期133-135,139,共4页唐健 李俊生 王晓亮 
江苏省高校自然科学研究基金资助项目(13KJB510037)
利用源极负反馈和共轭匹配的方法,设计出一种特高频及超高频（UHF/SHF）单片低噪声放大器,工作频带在2.65~3.45GHz范围内,噪声系数小于1.5dB,增益大于25dB,带内平坦度为±0.5dB、电压驻波比小于1.5.结果表明该低噪声放大器性能好、成本...
关键词：单片低噪声放大器 高电子迁移率晶体管 ADS 
2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器被引量：5
《固体电子学研究与进展》2016年第1期12-16 20,共6页彭龙新 牛超 凌显宝 凌志健 
基于0.15μm GaAs PHEMT低噪声工艺,采用二种不同的电路结构——分布式和负反馈,研制了两种超宽带低噪声放大器芯片,两种芯片都达到了2~20GHz的超宽带要求。两款芯片均使用单电源+5V自偏置供电。分布式低噪声放大器芯片的典型增益为17dB...
关键词：微波单片集成电路 超宽带 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 分布式结构 负反馈 杂波抑制 
W波段单片低噪声放大器被引量：1
《微波学报》2014年第S1期113-115,共3页张健 王磊 王维波 程伟 康耀辉 陆海燕 李欧鹏 谷国华 王志刚 徐锐敏 
本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz...
关键词：MMIC 低噪声放大器 GAAS MHEMT W波段 
7～13.5GHz单片低噪声放大器设计被引量：5
《半导体技术》2013年第7期497-501,524,共6页朱思成 默立冬 
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加...
关键词：赝高电子迁移率晶体管 电子迁移率 晶体管(PHEMT) 低噪声放大器 负反馈 噪声系数 回波损耗 
空间应用Ka频段MHEMT单片低噪声放大器设计被引量：1
《空间电子技术》2012年第4期67-70,89,共5页孙逸帆 王婷霞 徐鑫 朱光耀 和新阳 
文章介绍了一种空间用Ka频段MHEMT三级MIC低噪声放大器的设计,放大器最小噪声系数为1.5dB,增益为30 dB,回波损耗10 dB。该低噪声放大器成品率高,性能指标优于目前同类商业芯片指标。
关键词：KA频段 MMIC 低噪声放大器 
毫米波单片低噪声放大器的研制被引量：3
《东南大学学报（自然科学版）》2010年第3期449-453,共5页严蘋蘋 陈继新 洪伟 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327405);国家自然科学基金委创新研究群体科学基金资助项目(60921063)
采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用...
关键词：低噪声放大器 砷化镓 毫米波 噪声系数 
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