键合材料

作品数：11被引量：38H指数：3
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LED芯片键合材料研究述评被引量：2
《集成技术》2014年第6期1-7,共7页张保坦 孙蓉 汪正平 
广东省引进创新科研团队计划(2011D052);深圳市孔雀计划团队(KYPT20121228160843692);深圳市电子封装材料工程实验室(深发改【2012】372号)
发光二极管(LED)是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件。随着亮度和功率的不断提高,芯片键合材料成为解决大功率LED散热问题的关键技术之一。针对LED对芯片键合材料的性能要求,文章综述了LED芯片键合材料的种类、特点...
关键词：键合材料 环氧 有机硅 共晶材料 
瑞萨评测EV和HEV用功率半导体芯片键合材料的烧结银浆
《半导体信息》2012年第4期29-30,共2页郑冬冬 
瑞萨电子在"2012最尖端封装技术研讨会"的"EV和HEV时代功率电子最新技术动向"分会(6月14日举行)上,谈到了该公司的产品并以封装为中心,就车载半导体封装作了阐述。该研讨会由日本电子封装学会主办,在东京有明国际会展中心与JPCAShow2012...
关键词：HEV 功率半导体 银浆 半导体封装 功率电子 真一 测试技术 演讲者 演讲题目 技术动向 
功率型LED封装键合材料的有限元热分析被引量：1
《半导体光电》2011年第4期517-520,共4页刘一兵 
湖南省科技计划项目(2010GK3182);邵阳市科技计划项目(C0926)
建立了功率型LED结构,分析了其热阻模型,对采用高导热导电银胶、纳米银焊膏、大功率芯片键合胶、Sn70Pb30四种键合材料的LED进行了ANSYS有限元软件仿真对比研究。结果表明,纳米银焊膏具有最优的传热特性。采用了正向电压法对3W蓝光LED...
关键词：功率型LED 键合材料 热阻 ANSYS有限元分析软件 正向电压法 
照明用大功率发光二极管封装材料的优化设计被引量：5
《光子学报》2011年第5期663-666,共4页刘一兵 戴瑜兴 黃志刚 
湖南省科技计划项目(No.2010GK3182);邵阳市科技计划项目(No.C0926)资助
根据传热理论,建立了大功率发光二极管的有限元模型.选择了4种键合材料(高导热导电银胶、纳米银焊膏,大功率芯片键合胶、Sn70Pb30),4种基板材料(Al2O3、AlN、Al-SiC、铜钼合金).采用ANSYS有限元热分析软件进行了温度场仿真,得到了大功...
关键词：大功率发光二极管 封装 键合材料 基板材料 ANSYS 优化 
键合材料对1W白光LED性能的影响
《半导体技术》2009年第9期857-860,共4页缪建文 宋国华 严小蕾 武恒文 桂旭 
江苏省南通市科技计划资助项目(A5034)
对采用银浆和250℃、130℃度高、低温锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED结温、热阻和光衰进行了对比研究。研究结果表明,与采用银浆作为芯片键合材料的LED相比,采用锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED的结温下降了10℃以上,热阻也相应下降...
关键词：发光二极管 结温 热阻 光衰 键合材料 银浆 锡膏 
功率LED芯片键合材料对器件热特性影响的分析与仿真被引量：20
《佛山科学技术学院学报（自然科学版）》2005年第4期14-17,共4页王垚浩 余彬海 李舜勉 
863引导资助项目(2004AA001340);国家十五科技攻关资助项目(2003BA316A01-02-06)
针对倒装型功率发光二极管器件,描述了功率LED器件的热阻特性,对不同芯片键合材料的功率LED热阻进行了分析,并运用AN SY S软件对3类典型芯片键合材料封装的功率LED热特性进行了仿真。仿真结果表明:采用功率芯片键合材料提高了功率LED的...
关键词：芯片键合 功率LED 热阻 结温 
引线键合及键合材料
《有色金属与稀土应用》2004年第4期37-38,共2页
引线键合是集成电路第一级组装的主流技术，是电子器件迅速发展的一项关键技术。在引线键合前，需要从厚度为0．1～0．3mm的铜合金或镍合金带材上截取引线框架材料(外引线)，用热压法将高纯Si或Ge的半导体元件压在引线框架上所选好的位...
关键词：引线键合 半导体元件 外引线 引线框架材料 集成电路 电子器件 封装 带材 铜合金 镍合金 
芯片键合材料对功率型LED热阻的影响被引量：8
《半导体光电》2003年第6期422-424,共3页李炳乾 布良基 范广涵 
　分析了功率型LED热阻系统的构成,对采用银浆和环氧胶作为芯片键合材料的功率型LED热阻进行了对比研究。研究结果表明:采用银浆作为芯片键合材料可以显著改善功率型LED的热阻系统,同采用环氧胶作为芯片键合材料的功率型LED相比,其热阻...
关键词：功率型LED 热阻 芯片键合 银浆 环氧胶 
SOI键合材料的TEM研究
《稀有金属》1998年第4期274-276,共3页王敬 屠海令 刘安生 周旗钢 朱悟新 张椿 
用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合紧密，在界面上没有观察到缺陷和孔洞。
关键词：硅片键合 SOI 界面 微结构 TEM 
键合金丝及其生产趋势
《杭州科技》1990年第6期13-13,共1页陈亚璋 
关键词：半导体器件 键合材料 键合金丝 
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