光CVD

作品数：11被引量：1H指数：1
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用IR及XPS研究Photo-CVD SiO_2薄膜特性
《华南理工大学学报（自然科学版）》2003年第7期61-64,共4页刘玉荣 李观启 黄美浅 
在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054～...
关键词：光CVD SIO2薄膜 红外光谱 XPS C-V特性 
工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO_2/Si界面特性的影响
《微电子学》1998年第3期172-175,共4页谢茂浓 杜开瑛 刘玉荣 
采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比...
关键词：光CVD 半导体 光化学汽相淀积 
工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO_2-Si界面特性的影响
《半导体技术》1998年第6期23-26,共4页谢茂浓 杜开瑛 刘玉荣 
四川省科委基金
采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明，衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气...
关键词：高频C-V特性 光CVD 硅 二氧化硅 
光CVD—SiO_2薄膜的性能及其应用
《南昌大学学报（理科版）》1996年第1期14-16,共3页王晓俊 罗庆芳 邹道文 郭述文 夏至洪 
江西省自然科学基金;南昌大学校基金
采用光ＣＶＤ法制备了良好的ＳｉＯ２薄膜，为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。
关键词：光VCD 薄膜 二氧化硅 
光CVD系统气流模式分析
《微电子学与计算机》1993年第11期42-43,46,共3页王兴民 孙建诚 
本文对光CVD反应系统的气流模式进行了分析,讨化了4种不同的气流流动状态,计算出附面层线性底层厚度为0.163mm,提出用保护气体隔离工作气体,以防止石英窗内侧面淀积薄膜的可行性.
关键词：CVD 气流模式 分析 化学汽相沉积 
光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性
《微电子学与计算机》1993年第9期1-3,共3页汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.
关键词：光化学 气相淀积 可靠性 氮化硅 
Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究
《材料科学进展》1991年第2期164-168,共5页景俊海 孙青 
本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO_2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30—50Pa 和300—500 Sccm 范围内选取时,可得到最佳的薄膜。
关键词：Hg敏化 光-CVD SIO2薄膜 低温 
光CVD原理及装置
《LSI制造与测试》1990年第2期19-22,33,共5页景俊海 
关键词：集成电路 光CVD 装置 
氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜被引量：1
《Journal of Semiconductors》1989年第10期769-774,共6页郭述文 朱基千 谭淞生 王渭源 
中国科学院传感技术联合开放实验室资助
采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子(如真空紫外光)可以直接分解SiH_4或SiH_4+BF_3混合气体,以制备氢化非晶硅(a-Si∶H)和掺硼氟化微晶硅(μc-Si∶F∶H(B))薄膜.测量表明,薄膜具有类似于通常辉光放电或汞...
关键词：无窗输出 CVD 硅 薄膜 
光 CVDSiO_2钝化膜在红外探测器中的应用
《半导体光电》1989年第2期79-84,90,共7页程开富 
本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。
关键词：光CVD SIO2膜 红外探测器 
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