光电流

作品数：416被引量：600H指数：9
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用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1127-1130,共4页熊卫华 熊祖洪 陆昉 
上海市科委资助项目~~
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对...
关键词：光电流谱 多孔硅微腔 PL谱 光电特性 
GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》1998年第3期197-201,共5页臧岚 杨凯 张荣 沈波 陈志忠 陈鹏 周玉刚 郑有炓 黄振春 
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且...
关键词：氮化镓 紫外探测器 光电流性质 
δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱
《Journal of Semiconductors》1995年第2期107-112,共6页沈文忠 黄醒良 唐文国 李自元 沈学础 
本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收...
关键词：晶体管 HEMT 光电流谱 AIGAAS INGAAS 砷化镓 
光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1993年第11期659-663,共5页龚大卫 孙恒慧 
国家自然科学基金
本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。
关键词：砷化镓 光电流 瞬态谱 
GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第6期333-342,共10页江德生 刘大欣 张耀辉 段海龙 吴荣汉 
北京超晶格国家重点实验室支持课题
我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收...
关键词：量子阱 电场 二极管 光电流谱 
GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱
《Journal of Semiconductors》1991年第7期399-404,共6页段海龙 王启明 吴荣汉 曾一平 孔梅影 
通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子器件对材料的要求.
关键词：GAAS/ALGAAS 量子阱 光电流谱 测量 
应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1990年第4期270-278,共9页方晓明 沈学础 侯宏启 冯巍 周钧铭 
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观...
关键词：INGAAS-GAAS 量子阱 光电谱 应变层 
GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱被引量：1
《Journal of Semiconductors》1990年第2期97-103,共7页滕达 徐仲英 庄蔚华 王守武 
国家自然科学基金
研究了MBE GaAs/AlGaAs多量子阱结构的横向光电流谱和光吸收谱。在光电流谱中观测到多种允许和禁戒的激子吸收峰以及一个阱中受主态至n=1电子态的非本征吸收峰。确定出5个空穴子带至2个电子子带的跃迁以及这些子带的间距。采用简单带方...
关键词：GAAS/ALGAAS 量子阱 光吸收谱 
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