光学光刻

作品数：103被引量：209H指数：8
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工业界即将迎来光刻技术转变
《集成电路应用》2009年第11期20-20,共1页Ken Rygler 
世导体产业历史上最大的一次转变已经开始了。传统的光学光刻一直都是半导体产业和摩尔定律的核心，但这项技术的统治即将终结。对替代技术的权衡正如火如荼地进行着——常常也是无声无息地——其结果也正逐渐显现，看起来似乎不只是单...
关键词：光刻技术 工业界 半导体产业 摩尔定律 光学光刻 制造商 存储器 
Entegris新的分析方法延长先进光学光刻的寿命
《集成电路应用》2009年第4期12-12,共1页
Entegris公司介绍了一种新的解决方案,能够精确测量和控制在先进半导体光刻过程中引起污染的挥发性有机化合物。如果不加控制,这些低分子量、含硅物质或有机化合物(如TMS)已被证明影响248纳米和193纳米曝光工具,并可能导致敏感和昂贵的...
关键词：光学光刻 Entegris 低分子量 分析方法 
18英寸硅片时代来临?
《集成电路应用》2008年第8期9-9,共1页莫大康 
业界对于未来半导体进步的动力，在继续缩小尺寸方面45纳米制程己量产。对于32纳米制程，用193纳米浸没式光刻机及利用两次图形成像技术，虽然成本稍高但技术上己没有阻碍，英特尔、IBM包括台积电等都声称已有试制样品。至于能否进入22...
关键词：硅片 纳米制程 成像技术 UV技术 光学光刻 半导体 小尺寸 光刻机 
先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命
《集成电路应用》2007年第11期24-28,共5页Aaron Hand 
作为光刻技术的"替罪羊",光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正(OPC)和其它分辨率增强技术(RET)的发展——包括双重图形技术的前景——掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。
关键词：光学光刻 掩膜版 分辨率增强技术 寿命 光刻技术 图形技术 光成像 RET 
《半导体国际》第三届光刻技术研讨会
《集成电路应用》2007年第7期20-20,共1页
光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧，然而在以0.15微米以上技术为主流...
关键词：光学光刻技术 技术研讨会 《半导体国际》 半导体制造业 半导体制造技术 关键工艺 器件尺寸 数值孔径 
双重图形推动浸没式光刻继续前进被引量：1
《集成电路应用》2007年第4期26-29,共4页Aaron Hand（编） 
随着高折射率浸没式光刻看起来并不比其他光刻方案更有希望,业界现在开始热烈地讨论双重图形。
关键词：光学光刻 浸没式 图形 高折射率 水浸式 
高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米被引量：2
《集成电路应用》2006年第6期15-15,共1页Aaron Hand 
在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，...
关键词：光学光刻技术 32纳米 高折射率 浸没式 跨越 镜头 SPIE 使用寿命 曝光技术 生产工艺 
纳米压印模板需要高质量的检测技术被引量：1
《集成电路应用》2006年第3期13-13,共1页Aaron Hand 
纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后，已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲，纳米压印是把一个1×的模板压进一个柔性层，从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说：“它引人注意之处是具...
关键词：纳米压印 压印模板 检测技术 半导体行业 质量 压印光刻 斯坦福大学 电子工程 光学光刻 柔性层 
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