硅单晶

作品数：596被引量：631H指数：11
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固结磨料切割Φ200 mm硅单晶表面损伤研究被引量：2
《稀有金属》2023年第8期1186-1194,共9页苏冰 周旗钢 邢旭 李军 李军营 周波 
国家重点研发计划项目(2017YFB0305603)资助。
研究电镀刚石线在多线切割过程中对半导体硅材料的去除机制与表面损伤情况,在不同的钢线速度下对Φ200 mm硅单晶进行切割实验,并对切割的试样与切屑进行扫描电镜(SEM)测试,观察试样的表面形貌和切屑的形貌,分析半导体硅材料的去除机制...
关键词：硅片切割 去除机制 表面粗糙度 表面损伤 
水平超导磁场直拉法硅单晶熔体过热现象被引量：1
《稀有金属》2023年第7期1050-1058,共9页单志远 秦瑞锋 宁永铎 李洋 张果虎 
国家重点研发计划项目(2017YFB0305603)资助
基于水平超导磁场及特定热场结构,对直拉法硅单晶生长过程中的熔体过热现象进行了数值模拟和实验研究。在数值模拟中发现了熔体对流和温度变化的特殊趋势,随后在实验中发现了相应位置晶体直径突然收缩现象,依此推测拉晶过程中生长界面...
关键词：水平超导磁场 直拉硅单晶 三维(3D)数值模拟 熔体过热 
水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟被引量：3
《稀有金属》2017年第3期297-303,共7页年夫雪 邓先亮 邓康 任忠鸣 吴亮 
国家自然科学基金项目(51401116;51404148);上海市科委基金项目(13DZ1108200;13521101102)资助
利用计算机模拟仿真技术对适用于生长18英寸直拉单晶硅的40英寸热场在水平磁场下的生长工艺进行三维模拟仿真计算,重点分析了不同强度水平磁场作用下熔体和晶体中的温度场分布、熔体中流场的变化及其对晶体生长固/液界面形状的影响及其...
关键词：水平磁场 18英寸硅单晶 直拉法 三维数值模拟 
重掺硼硅片表面清洗研究
《稀有金属》2017年第1期52-56,共5页墨京华 李俊峰 刘大力 刘斌 鲁进军 周旗钢 
国家科技重大专项项目(2010zx02302-001)资助
研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原子力显微镜及X射线光电子能谱(XPS)对重掺硼和轻掺硼硅片在SC-1清洗过程中表现的不同清洗特性进行分析。...
关键词：重掺B硅单晶 表面微粗糙度 颗粒 SC-1清洗 
电子辐照对直拉硅单晶电学参数的影响被引量：3
《稀有金属》2013年第1期82-86,共5页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金项目(50872028);河北省自然科学基金项目(E2008000079);河北省教育厅科学研究计划项目(2009318)资助
对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化。结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多...
关键词：电子辐照 少子寿命 辐照缺陷 电阻率 
高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响被引量：2
《稀有金属》2012年第1期120-123,共4页李宗峰 周旗钢 何自强 冯泉林 杜娟 刘斌 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401)资助
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h...
关键词：直拉硅单晶 大直径 空洞型微缺陷 晶体原生粒子缺陷 高温退火 
CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟被引量：9
《稀有金属》2011年第6期909-915,共7页常麟 周旗钢 戴小林 鲁进军 卢立延 
国家科技重大专项(2008ZX02401)项目资助
利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大...
关键词：直拉硅单晶 CUSP磁场 氧浓度 有限元分析 数值模拟 
300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2
《稀有金属》2007年第5期585-589,共5页高宇 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)
采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方...
关键词：热应力 模拟 300 MM 硅单晶 
《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》
《稀有金属》2005年第3期274-274,共1页
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司张厥宗编著的《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》一书近期将由《化学工业出版社》出版。
关键词：半导体材料 加工技术 抛光片 硅单晶 北京有色金属研究总院 化学工业出版社 股份有限公司 
大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟被引量：11
《稀有金属》2004年第5期890-893,共4页王学锋 翟立君 周旗钢 王敬 戴小林 吴志强 
国家计委超大规模集成电路用 12英寸硅单晶研制子项目
数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 0mm单晶炉内热场的数值模拟计算 ,得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密...
关键词：直拉硅单晶 热场 数值模拟 
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