硅外延材料

作品数：11被引量：25H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：赵丽霞薛宏伟李明达袁肇耿薛兵更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所河北普兴电子科技股份有限公司东南大学中国电子科技集团公司更多>>
相关期刊：《化工时刊》《半导体技术》《天津科技》《中国集成电路》更多>>
相关基金：天津市自然科学基金天津市科技计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高压IGBT器件用200mm硅外延材料制备技术研究被引量：2
《信息记录材料》2021年第1期19-20,共2页魏建宇 杨帆 王银海 邓雪华 
结合高压IGBT器件用200mm硅外延材料的特性要求,从表面缺陷控制、滑移线控制,以及产品电阻率纵向结构分布控制等方面,研究了外延材料制备过程中的各项工艺参数,优化了高压IGBT器件用大尺寸硅外延片的制备方法。通过研究生长温度与表面...
关键词：硅外延 表面缺陷 滑移线 温场 纵向结构 
硅外延材料制造过程中先进配套条件的研究
《天津科技》2020年第4期18-19,22,共3页唐发俊 赵扬 李明达 马丽颖 王楠 
天津市自然科学基金“基于连续波激光辐照诱导富硅氧化硅的相变机理研究”(18JCYBJC41800);天津市科技计划项目“特种高频器件用硅外延薄层高阻材料的制备及核心技术基础研究”(18ZXJMTG00300)。
应用于半导体产业的硅外延材料,其制造工艺的发展迄今已将近50年。一方面,为了满足硅外延片从小尺寸向大尺寸发展以及材料均匀性要求的不断提高,其制造设备从多片式外延炉向单片式外延炉发展;另一方面,随着半导体元器件制造对硅外延片...
关键词：硅外延炉 气体纯化器 起泡器 气体流量补偿器 
高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的研究
《化工时刊》2019年第12期17-19,共3页李国鹏 马梦杰 金龙 王银海 邓雪华 杨帆 
高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷(As)衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片式外延炉生产时又会因重掺砷衬底之间相互影响,导致相同工艺条件下外延电阻率因片数不同而存在较大差异。...
关键词：硅外延 高阻薄层 片间掺杂效应 电阻率 
120 V超快软恢复二极管用大尺寸硅外延材料工艺研究被引量：3
《材料导报》2017年第A02期88-92,106,共6页李明达 陈涛 薛兵 
硅外延材料具有厚度和电阻率能精确调控、结晶完整性良好的优势,能够有效降低功耗,改善击穿电压,广泛应用于半导体分立器件。外延层厚度、电阻率、均匀性、晶格质量等参数指标直接决定了所制分立器件的良率和性能。通过研究平板式外延...
关键词：硅外延材料 均匀性 化学气相沉积 超快软恢复二极管 
快速恢复外延二极管用150mm高均匀性硅外延材料的制备被引量：9
《固体电子学研究与进展》2017年第5期366-374,共9页李明达 李普生 
利用PE3061D型平板式外延炉,在150mm的重掺As的硅单晶衬底上采用化学气相沉积(CVD)方法制备参数可控且高均匀性的外延层,通过聚光灯、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg CV)等测试设备分别研...
关键词：硅外延材料 均匀性 化学气相沉积 快速恢复外延二极管 
用于高压快恢复二极管的200mm硅外延材料的生长被引量：7
《半导体技术》2017年第2期129-133,159,共6页张志勤 吴会旺 袁肇耿 赵丽霞 
1 200 V快恢复二极管(FRD)器件用200 mm外延片由于直径较大、外延层较厚(约130μm)以及电阻率较高(约60Ω·cm),外延层滑移线、电阻率不均匀性和缓冲层过渡区不易控制。通过在水平板式炉上进行工艺优化实验,采用900℃恒温工艺,外延层滑...
关键词：快恢复二极管(FRD) 外延 滑移线 电阻率 不均匀性 缓冲层 
功率器件用150mm高性能硅外延材料的工艺研究被引量：1
《科技创新与应用》2017年第1期37-38,共2页翟玥 
相比硅单晶衬底,硅外延材料电参数均匀性更好,结晶质量更理想,现已成为制备功率器件的关键基础材料。当前半导体行业的迅猛发展,研发工作频率更高的功率器件的迫切性愈加突出,其关键点是进一步提升器件耐压的基础上,能够减小正向导通电...
关键词：外延层 功率器件 厚度 电阻率 均匀性 
梁氏引线开关二极管用硅外延材料
《天津科技》2012年第6期7-8,共2页殷海丰 
介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程,通过采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制,解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高阻硅外延材料问题。
关键词：外延 二极管 梁氏引线 掺杂 
PIN二极管用硅外延材料被引量：1
《半导体技术》2007年第5期410-412,共3页殷海丰 徐永宽 薛兵 
介绍了研制适用于大功率PIN二极管的硅外延材料的工艺过程,采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过大量实验,利用4.0μm/min的生长速率得到了掺杂浓度为2.0×1019cm-3的...
关键词：外延 PIN二极管 电阻率 掺杂剂 
半导体材料现状与发展被引量：2
《中国集成电路》2003年第46期99-104,共6页管丕恺 张臣 
前言21世纪,人类将进入'三太'纪元,信息的传输、运算和存储将以以太(1万亿)比特进行。要实行信息技术这一飞跃,半导体产业必须先行。半导体材料是半导体产业的基础。作为第一代半导体材料的硅材料是半导体材料的主流,已有四十余年的历史。
关键词：半导体材料 现状 多晶硅材料 单晶硅 硅外延材料 硅基材料 碳化硅 氮化镓 纳米半导体 量子阱 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部