高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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微波GaN器件温度效应建模
《物理学报》2024年第17期240-247,共8页王帅 葛晨 徐祖银 成爱强 陈敦军 
国家重点研发计划(批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(批准号:BE2022070,BE2022070-2)资助的课题.
通过对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析,本文基于EEHEMT等效电路模型,针对GaN HEMT漏源电流I_(ds)提出了一种温度效应模型.该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 模型 直流特性 
一款基于非线性模型设计的高性能GaN功率放大载片
《固体电子学研究与进展》2024年第4期277-283,共7页景少红 徐祖银 李飞 成爱强 梁宸玮 
国家重点研发计划项目(2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术项目(BE2022070,BE2022070-2)。
采用南京电子器件研究所研制的0.35μm栅长、60 V高压AlGaN/GaN HEMT工艺,利用可缩放大信号模型仿真设计了一款工作在S波段的高性能功率放大载片。该功率放大载片由单个总栅宽为36.4 mm的GaN管芯采用混合集成内匹配方案设计而成,漏极工...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 非线性模型 功率放大载片 
一种提高氮化镓高压功率器件动态可靠性的快速筛选方法
《微电子学》2024年第3期503-510,共8页沈竞宇 范文琪 邱金朋 
国家自然科学基金资助项目(62174017)。
为了快速筛选出由电流崩塌、阈值漂移导致失效的氮化镓(GaN)器件,提出了一种基于晶圆测试的创新筛选方法,旨在更好地筛选出高可靠性的650 V增强型GaN功率器件,在封装之前消除固有缺陷导致的动态失效,解决实际应用中的动态可靠性问题。...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 可靠性 寿命 筛选方法 
具有高击穿电压和低关断态电流的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
《桂林电子科技大学学报》2024年第2期203-209,共7页马旺 陈永和 刘子玉 杨叶 孙远远 
广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025);广西科技计划(AD18281037)。
为了能够完全发挥GaN基器件的优势,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压值,通过在传统AlGaN/GaN HEMT的栅极和漏极之间加入一层Al组份为0~0.25线性渐变的AlGaN极化诱导层(PIL),形成Al极化梯度,进而诱导出三维空穴气(3DHG)。3DHG可起到辅助HEM...
关键词：AlGaN/GaN HEMT 线性梯度AlGaN 3维空穴气 击穿电压 
栅场板对AlGaN/GaN HEMT击穿特性的调控
《山西大学学报（自然科学版）》2024年第1期187-193,共7页王进军 徐晨昱 杨嘉伦 刘宇 冯岩 张世奇 
陕西省教育厅科研计划专项项目(18JK0103)。
栅场板对提升AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)击穿电压的物理机理以及相关理论问题缺乏深入的研究。本文通过在传统的AlGaN/GaN HEMT结构中引入栅场板来调控器件内部的电场分布以提高器件的击穿电压,并基于Silvaco TCAD软件对器件进...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 击穿特性 峰值电场 栅场板 
重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响被引量：1
《物理学报》2024年第3期209-216,共8页吕玲 邢木涵 薛博瑞 曹艳荣 胡培培 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:12035019,62234013)资助的课题。
采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增...
关键词：重离子辐射 氮化镓 高电子迁移率晶体管 低频噪声 
栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响被引量：1
《电子学报》2023年第6期1486-1492,共7页季启政 刘峻 杨铭 马贵蕾 胡小锋 刘尚合 
国家自然科学基金(No.61904007)。
制备了不同栅极宽度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,通过测量各器件电容-电压曲线和转移特性曲线,得到了栅沟道载流子输运特性以及亚阈值摆幅,结果显示当栅极宽度从10μm增加到50μm时,亚阈值摆幅下降了40.3%.定性且定量地分析了亚阈值...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 亚阈值摆幅 极化 散射 
AlGaN/GaN HEMTs器件中子辐照效应实验和数值模拟研究被引量：1
《现代应用物理》2023年第1期164-172,199,共10页陈泉佑 赵景涛 朱小锋 许献国 熊涔 赵洪超 
国家自然科学基金资助项目(11705172;61701461)。
以定制硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)和碳化硅(SiC)衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)为研究对象,在CFBR-II(China Fast Burst Reactor-II)快中子脉冲堆开展了中子辐照注量范围为10^(13)~10^(15) c...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 中子辐照 实验 数值模拟 陷阱 
大尺寸Si基GaN HEMT外延薄膜的生长被引量：1
《现代信息科技》2022年第16期58-61,共4页鲁德 戴一航 梁利彦 周昆楠 
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在6英寸硅(111)衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)的无裂纹、高均匀性且翘曲度可控的GaN HEMT外延薄膜。通过引入双层AlN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N超晶格和...
关键词：ALGAN/GAN异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 应力控制层 外延生长 
干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性被引量：1
《半导体技术》2021年第12期932-936,985,共6页冯玉昆 于国浩 吴冬东 杜仲凯 张炳良 李新宇 张宝顺 
国家自然科学基金资助项目(61774014,12164013);中国科学院青年创新促进会资助项目(20200321)。
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) ALGAN/GAN异质结 p-GaN栅 增强型 栅漏电 
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