Δ掺杂

作品数：64被引量：43H指数：3
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阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究
《红外与毫米波学报》2022年第1期317-322,共6页马楠 窦程 王嫚 朱亮清 陈熙仁 刘锋 邵军 
国家自然科学基金项目(11974368,61675224);上海市自然科学基金和科学仪器领域项目(18ZR1446100,20142201000);中国科学院上海技术物理研究所创新项目(CX-289)。
采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化...
关键词：红外光致发光 GaSbBi 发光效率 阱内δ掺杂 
高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件（英文）
《发光学报》2018年第5期687-691,共5页武利翻 苗瑞霞 商世广 
Supported by National Natural Science Foundation of China(51302215);Scientific Research Program Funded by Shaanxi Provincial Education Department(17JK0698);The Science and Technology Project of Shaanxi Province(2016KRM029)~~
用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件...
关键词：霍尔器件 量子阱 双δ掺杂 分子束外延 
氮δ掺杂Cu_2O薄膜的生长及物性研究被引量：2
《中国激光》2018年第1期135-139,共5页李微 潘景薪 王登魁 方铉 房丹 王新伟 唐吉龙 王晓华 孙秀平 
国家自然科学基金(61404009);吉林省科技发展计划(20170520118JH);长春理工大学科技创新基金(XJJLG-2016-14)
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术,以NH3为掺杂源,制备了氮δ掺杂Cu_2O薄膜,研究了N掺杂对Cu_2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明,N掺杂引起了晶格畸变,Cu_2O薄膜的表面粗糙度增大;掺杂后Cu_2O薄膜的带隙宽度从2...
关键词：材料 等离子体增强原子层沉积 氮δ掺杂 Cu2O薄膜 NH3掺杂源 
高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件(英文)
《发光学报》2017年第12期1650-1653,共4页武利翻 苗瑞霞 李永峰 杨小峰 
国家自然科学基金青年基金(51302215);陕西省教育厅科研计划(17JK0698)资助项目~~
用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子...
关键词：霍尔器件 量子阱 Δ掺杂 分子束外延 
高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2013年第4期536-540,共5页王雪敏 阎大伟 沈昌乐 赵妍 黎维华 周民杰 罗跃川 彭丽萍 吴卫东 唐永建 
针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范...
关键词：高电子迁移率晶体管 多层结构 双δ掺杂 
900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究被引量：5
《微纳电子技术》2010年第7期397-400,共4页林琳 陈宏泰 安志民 车相辉 王晶 
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了...
关键词：三叠层 隧道结 半导体激光器 扩展波导 金属有机化合物气相淀积 结构优化 Δ掺杂 
量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响
《物理学报》2009年第9期6471-6476,共6页宋迎新 郑卫民 刘静 初宁宁 李素梅 
国家自然科学基金(批准号:60776044);山东省自然科学基金(批准号:2006ZRA10001)资助的课题~~
采用远红外时间分辨光谱,研究了量子限制效应对δ掺杂在GaAs/AlAs多量子阱中铍(Be)受主态寿命的影响.在低温下的远红外吸收谱中,清楚地观察到了三条主要吸收线,它们分别来源于铍受主从基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁.实验结果表明:...
关键词：量子限制效应 受主态寿命 时间分辨光谱 Δ掺杂 
量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第2期310-314,共5页郑卫民 宋淑梅 吕英波 王爱芳 陶琳 
国家自然科学基金(批准号:60776044);山东省自然科学基金(批准号:2006ZA10001)资助项目~~
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺...
关键词：量子限制效应 浅受主杂质 Δ掺杂 GaAs/AlAs多量子阱 光致发光谱 
p型氮化镓不同掺杂方法研究被引量：4
《功能材料》2007年第7期1123-1124,1131,共3页邢艳辉 韩军 邓军 刘建平 牛南辉 李彤 沈光地 
北京市自然科学基金资助项目(D0404003040221);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2004AA311030)
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂...
关键词：p-氮化镓 Δ掺杂 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积 
双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究被引量：1
《物理学报》2007年第7期4143-4147,共5页周文政 林铁 商丽燕 黄志明 朱博 崔利杰 高宏玲 李东临 郭少令 桂永胜 褚君浩 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:001CB309506);国家自然科学基金(批准号:60221502;10374094)资助的课题.~~
研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对...
关键词：SdH振荡 二维电子气 FFT分析 自洽计算 
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