T形栅

作品数：12被引量：5H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谢常青韩安云郝跃杨翠毛维更多>>
相关机构：成都海威华芯科技有限公司中国电子科技集团第十三研究所中国科学院微电子研究所西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微纳电子技术x
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术被引量：3
《微纳电子技术》2002年第7期39-42,共4页谢常青 陈大鹏 李兵 叶甜春 
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被...
关键词：PHEMT器件 光刻技术 T形栅 光学光刻 电子束光刻 X射线 集成电路 
同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
《微纳电子技术》2002年第6期39-41,共3页谢常青 陈大鹏 李兵 叶甜春 
x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介...
关键词：光刻制作 深亚微米 T形栅 X射线掩模 X射线光刻 同步辐射 
用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
《微纳电子技术》2002年第5期37-40,共4页韩安云 王育中 王维军 张 倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔 铮 
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
关键词：光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL 
电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用
《微纳电子技术》2002年第4期42-43,共2页刘玉贵 王维军 罗四维 江泽流 
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
关键词：电子束直写直栅 T形栅工艺技术 电子束曝光技术 GAAS器件 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部