ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
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p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第1期178-182,共5页曹萌 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 刘成 张军 江山 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~
为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深...
关键词：干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤 
纳米级精细线条图形的微细加工被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1722-1725,共4页任黎明 王文平 陈宝钦 周毅 黄如 张兴 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出...
关键词：微细加工 电子束光刻 邻近效应校正 ICP刻蚀 
ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1500-1504,共5页樊中朝 余金中 陈少武 杨笛 严清峰 王良臣 
国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~
研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗...
关键词：SOI ICP 粗糙度 脊形光波导 
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