INGAAS/INP

作品数：210被引量：371H指数：9
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：刘宝林刘新宇徐安怀梁焰齐鸣更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学中国科学院大学华东师范大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体光电x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究被引量：2
《半导体光电》2018年第3期326-331,353,共7页侯丽丽 韩勤 王帅 叶焓 
国家重点研发计划项目(2016YFB0402404);国家自然科学基金项目(61674136;61635010;61435002)
InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续...
关键词：盖革模式 INGAAS/INP 雪崩光电二极管 阵列 均匀性 
InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制被引量：14
《半导体光电》2015年第3期356-360,391,共6页张秀川 蒋利群 高新江 陈伟 奚水清 姚科明 兰逸君 卢杰 
部级基金项目.
设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个...
关键词：三维成像 单光子 盖革模式 焦平面阵列 
边缘击穿抑制对InGaAs/InP盖革模式APD性能的影响被引量：1
《半导体光电》2015年第3期361-364,399,共5页迟殿鑫 高新江 姚科明 陈伟 张承 
部级基金项目.
基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑制效果对器件暗计数率、单光子探测效率,以及后脉冲概率等主要盖革模式性能参数的影响,并对其原因进行了...
关键词：盖革模式 SAM 边缘击穿抑制 暗计数率 探测效率 后脉冲概率 过偏压 
失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长
《半导体光电》2012年第6期817-821,共5页周勇 赵志强 周勋 刘万清 莫才平 
基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
关键词：INGAAS 失配异质结构 MOCVD 梯度渐变InAlAs缓冲层 
InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究被引量：2
《半导体光电》2008年第1期60-63,共4页田招兵 张永刚 顾溢 祝向荣 郑燕兰 
通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进...
关键词：INGAAS 光伏探测器 焦平面阵列 钝化 气态源分子束外延 
InGaAs/InP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟被引量：5
《半导体光电》2007年第5期617-622,共6页高新江 张秀川 陈扬 
基于泊松方程和载流子连续性方程,导出了InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带...
关键词：INGAAS/INP SAGCM—APD 器件模型 数值模拟 器件特性 
平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制被引量：1
《半导体光电》2006年第3期278-281,共4页肖雪芳 杨国华 王国宏 王树堂 陈良惠 
平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了吸收层厚度、...
关键词：边缘击穿 雪崩光电二极管 结构 
高速高饱和InGaAs/InP单行载流子光电二极管被引量：3
《半导体光电》2004年第3期169-173,共5页夏力臣 高新江 
　InGaAs/InP单行载流子光电二极管(UTC PD)是近年来研发的一种新型光电器件。UTC PD是一种由p型中性光吸收层和n型宽带隙集结层构成,并且只用电子作为有源载流子的光电二极管。详细地介绍了UTC PD的工作原理、结构设计、制作工艺及典...
关键词：光纤通信 光电二极管 高饱和输出 3 dB带宽 空间电荷效应 响应度 
Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响被引量：3
《半导体光电》2002年第4期271-273,共3页缪国庆 金亿鑫 蒋红 周天明 李树玮 元光 宋航 
国家自然科学基金重点项目 (5 0 132 0 2 0 )
介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0 .53 Ga0 .4 7As材料 ,获得表面平整、光亮的In0 .53 Ga0 .4 7As外延层。研究了Ⅴ /Ⅲ比对表面形貌、结晶质量、电学质量的影响。在Ⅴ /Ⅲ比较低时 ,表面粗糙 ,要获得镜面状的表面形貌 ,Ⅴ /Ⅲ...
关键词：铟镓砷 Ⅴ/Ⅲ比 低压金属有机化学气相沉积 
Si_3N_4无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构带隙的蓝移
《半导体光电》2001年第3期188-190,197,共4页张晓丹 王永晨 赵杰 陈景莉 冯哲川 
国家自然科学基金资助项目! (6 9886 0 0 1)
用光荧光谱和二次离子质谱的方法 ,研究了由Si3N4 电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理。实验结果表明 ,带隙蓝移同退火时间和退火温度...
关键词：无杂质空位诱导 量子阱 光荧光谱 二次离子质谱 蓝移 磷化铟 砷镓铟 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部