云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INP材料

INP材料: 作品数：23被引量：26H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：孙聂枫邓爱红赵有文孙同年王阳更多>>; 相关机构：中国科学院天津大学中国电子科技集团第十三研究所四川大学更多>>; 相关期刊：《功能材料》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《量子光学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金国防科技重点实验室基金更多>>

低维InP材料的表征和生长机理研究: 《发光学报》2024年第5期779-793,共15页牛艳萍马淑芳董浩琰阳智郝晓东韩斌吴胜利董海亮许并社; 国家自然科学基金(21972103);山西浙大新材料与化工研究院(2022SX-TD018,2021SX-AT007)。; 磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决...; 关键词：磷化铟纳米线纳米柱材料特性生长机制

基于InP材料的纳米光栅耦合器的耦合效率分析: 《量子光学学报》2014年第4期337-341,共5页刘耀英薛晨阳崔晓文崔丹凤韦丽萍王永华李艳娜; 国家自然科学基金(61275166;61076111); 设计了一种基于InP材料的纳米光栅耦合器,运用FDTD算法分析了周期长度、刻蚀深度以及占空比变化时该光栅耦合器的耦合效率。计算结果表明,周期长度为800nm,刻蚀深度为0.3μm,占空比接近0.5时,耦合效率可以达到13%。本文所设计的光栅耦...; 关键词：INP材料光栅 FDTD算法耦合效率

氧化铝薄膜对硫钝化InP材料光学稳定性的影响: 《材料导报》2013年第24期18-21,共4页田珊珊魏志鹏赵海峰高娴方铉唐吉龙楚学影方芳李金华王晓华李梅马晓辉; 国家自然科学基金(61006065;61076039;61204065;61205193;10804071);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115);高等学校博士学科点专项科研基金(201022216110002;20102216110001;20112216120005);吉林省科技发展计划(20090139;20090555;20121816;201201116);吉林省教育厅项目(2011JYT05;2011JYT10;2011JYT11); 利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征。硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发...; 关键词：INP 光致发光硫钝化表面态密度 AL2O3 薄膜

Fe对InP材料电子结构及光学性质的调控机理研究被引量：4: 《人工晶体学报》2013年第11期2432-2438,共7页周祎张昌文王培吉; 国家自然科学基金(61076088;61172028);山东省青年科学家基金(BS2009CL012);山东省科学技术计划发展项目(J10LA16);山东省自然科学基金(ZR2010EL017); 采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法,研究了3d族过渡金属元素Fe对III-V族半导体InP的电子结构和光学性质的调控机理,并对其能带结构和电荷密度分布进行了分析。结果表明,InP为直接带隙半导体,其价带主要由P-3s和3p态构成...; 关键词：能带结构态密度光学性质介电函数

Si/InP材料的应力转化特性分析: 《电子测试》2013年第11期35-39,共5页王瑞荣; InP材料被广泛的应用于光电子领域,但其材料脆、工艺不成熟、成本高,而Si基外延InP材料能良好的改善该技术瓶颈。论文中对不同介质、不同厚度的介质键合制备Si/InP材料进行了分析。其中以SiO2键合制备的Si/InP材料应力转化率最高,且SiO...; 关键词：Si基外延InP 应力转化键合 MEMS 光电子

非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究被引量：1: 《四川大学学报（自然科学版）》2010年第5期1069-1072,共4页陈燕邓爱红赵有文张英杰余鑫祥喻菁龙娟娟周宇璐张丽然; 国家自然科学基金(10775102); 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照...; 关键词：磷化铟正电子寿命谱电子辐照缺陷

InP材料Zn扩散的新方法: 《功能材料》2009年第3期360-361,368,共3页谢生陈朝毛陆虹; 国家自然科学基金资助项目(60736035);天津大学青年教师培养基金资助项目(TJU-YFF-08B64); 为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法。实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰。用Si...; 关键词：锌扩散磷化铟电化学电容-电压电流-电压特性

不同熔体配比InP材料中的缺陷研究被引量：2: 《中国电子科学研究院学报》2007年第4期354-359,共6页齐志华李昌青孙聂枫; 国防重点实验室基金项目(9140C0601040602);国家自然基金项目(60276008); 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料。对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试。结果表明富磷熔体条件下具有...; 关键词：磷化铟配比缺陷

深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响被引量：3: 《物理学报》2007年第2期1167-1171,共5页杨俊赵有文董志远邓爱红苗杉杉王博; 对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高...; 关键词：INP 半绝缘深能级电学补偿

InP材料直接键合技术被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2001年第9期1217-1221,共5页李宁韩彦军郝智彪孙长征罗毅; 国家自然科学基金 ( 96 5 2 5 40 7;6 9896 2 6 0 -1) ;国家"八六三"高技术计划项目 ( 86 3-30 7-0 4-0 6 ;86 3-30 7-11-3( 0 2 ) );"九七三"国家重点基础研究发展规划 ( G2 0 0 0 -0 3-6 6 0 1)资助项目~~; 研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键...; 关键词：直接键合半导体激光器磷化铟半导体材料

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