表面电场

作品数：171被引量：677H指数：15
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利用P型场环调节表面电场的积累层LDMOS
《微电子学》2019年第1期132-135,共4页孙旭 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目(51237001)
提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS。当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压。当器件正向导通时,漂移区上方介质层的多晶硅二极管会在漂移区表面形成一层电子积累层,大幅提高器...
关键词：积累层LDMOS P型场限环 多晶硅二极管 
一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET
《微电子学》2018年第5期682-685,共4页冯金荣 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金资助项目(61531016);四川省科技支撑计划重点资助项目(2016GZ0059;2017GZ0110)
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用PBOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的...
关键词：N沟道结型场效应晶体管 降低表面电场 击穿电压 BICMOS 
一种800V深阱多浮空场环终端结构设计被引量：2
《微电子学》2015年第2期249-252,共4页汪德波 冯全源 
国家自然科学基金资助项目(61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目(2012AA012305)
在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931V的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终...
关键词：终端 击穿电压 表面电场 
一款75V功率场效应管失效分析与改进
《微电子学》2014年第6期829-832,共4页汪德波 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金重大项目(60990320;60990323);国家自然科学基金面上项目(61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目(2012AA012305);四川省科技支撑计划项目(2012GZ0101)
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94....
关键词：功率场效应管 失效分析 表面电场 碰撞电离率 可靠性 
700V三层RESURF nLDMOS优化设计被引量：2
《微电子学》2013年第2期278-281,共4页孙鹏 刘玉奎 陈文锁 
提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂移区内部形成P型埋层,漂移区表面保留一条N型导电通路,导通电阻有所降低。利用Sentaurus TCAD仿真软件,...
关键词：横向双扩散金属-氧化物-半导体 降低表面电场 击穿电压 比导通电阻 
新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究被引量：2
《微电子学》2008年第4期457-460,464,共5页叶毅 张金平 罗小蓉 张波 李肇基 蒋辉 
国家安全重大基础研究项目资助(51327010101)
提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行...
关键词：4H—SiC 肖特基二极管 降低表面电场 击穿电压 
LDD功率器件表面电场解析模型及优化被引量：1
《微电子学》2007年第3期309-312,共4页李琦 李肇基 
提出低掺杂漏(Lightly Doped Drain,LDD)功率器件表面电场和电势解析模型。基于分区求解二维Poisson方程,获得二维表面电场和电势的解析表达式。借助此模型,研究器件结构参数对表面电场和电势的影响;计算漂移区长度与击穿电压的关系,分...
关键词：低掺杂漏 表面电场 击穿电压 解析模型 
表面电场整形高压RESURF　LDMOST
《微电子学》1996年第4期221-225,共5页熊平 卢豫曾 
提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种新结构显著降低了表面电场峰值，降低了采用ＲＥＳＵＲＦ技术导致...
关键词：半导体器件 功率器件 LDMOST 高压器件 RESURF 
高压RESURFLDMOST的开态电阻与关态电压
《微电子学》1995年第5期23-29,共7页熊平 卢豫曾 
降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ）原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ的优化设计作了深入的讨论...
关键词：LDMOST 高压器件 功率IC 降低表面电场 
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