云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G2000068306)

国家重点基础研究发展计划(G2000068306): 作品数：25被引量：166H指数：8; 导出分析报告; 相关作者：叶志镇赵炳辉黄靖云吕建国朱丽萍更多>>; 相关机构：浙江大学杭州电子工业学院堪萨斯州立大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《微纳电子技术》《材料导报》《功能材料》更多>>; 相关主题：ZNO薄膜P型ZNO薄膜欧姆接触直流反应磁控溅射ZN更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2006年第1期91-95,共5页周新翠叶志镇陈福刚徐伟中缪燕黄靖云吕建国朱丽萍赵炳辉; 国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038)资助项目~~; 利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴...; 关键词：p-ZnO 金属有机化学气相沉积磷掺杂

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：10: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2264-2266,共3页叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭; 国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038);香港-大陆两地基金资助项目~~; 在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.; 关键词：ZNO LED P型掺杂金属有机化学气相沉积

p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征被引量：1: 《真空科学与技术学报》2005年第2期93-95,99,共4页季振国陈琛王超周强赵丽娜; 国家重点基础研究专项(G2000068306);国家高技术研究发展计划(2003AA3A19/1);浙江省分析测试基金(03103)资助项目; 本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜。X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构。吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学...; 关键词：透明导电氧化物薄膜 P型制备表征镓锡光学禁带宽度空穴浓度 X射线衍射金红石结构热处理温度磁控溅射 SnO2 霍尔效应温度过高氧化温度热氧化合金靶测试透过率可见光吸收谱子类型

Microstructure of ternary Zn_(1-x)Cd_xO films on silicon substrate: 《中国有色金属学会会刊：英文版》2005年第1期135-138,共4页卢焕明叶志镇马德伟黄靖云朱丽萍赵炳辉; Project(G2000068306) supported by the National Basic Research Program of China; Project(00085) supported by Testand Analysis Foundation of Zhejiang Province; Ternary Zn1-xCdxO alloying films were deposited on silicon substrates by a reactive magnetron sputtering method. The structures of the films were characterized by transmission electron microscopy（TEM） and X-ray diff...; 关键词：钆氧化锌合金微观结构反应溅射法硅基薄膜半导体

MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜被引量：13: 《Journal of Semiconductors》2005年第1期38-41,共4页徐伟中叶志镇周婷赵炳辉朱丽萍黄靖云; 国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~; 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了Zn...; 关键词：P型 ZNO 金属有机化学气相沉积

AlGaN肖特基势垒二极管的研制被引量：1: 《浙江大学学报（工学版）》2004年第10期1244-1247,共4页邵庆辉叶志镇黄靖云赵炳辉江红星林景瑜; 国家重大基础研究项目基金资助项目(G2000068306).; 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行...; 关键词：ALGAN 肖特基势垒二极管势垒高度

铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：4: 《真空科学与技术学报》2004年第6期408-410,共3页张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国; 国家重点基础研究项目基金资助(No.G2000068306);国家自然科学基金重点项目(No.90201038);国家自然科学基金项目(No.60340460439); 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当...; 关键词：电学性能 ZNO薄膜掺氮迁移率载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射个数空穴数量级

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征被引量：16: 《物理学报》2004年第12期4330-4333,共4页季振国何振杰宋永梁; 国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6);国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 3AA 3 A19 1)资助的课题~~; 采用溶胶凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ...; 关键词：SNO2薄膜吸收谱提拉法空穴原子禁带宽度表征导电制备热处理温度

直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性被引量：11: 《Journal of Semiconductors》2004年第6期668-673,共6页袁国栋叶志镇曾昱嘉吕建国钱庆黄靖云赵炳辉朱丽萍; 国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6);国家自然科学基金(批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~; 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了...; 关键词：Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射

硅基光致发光膜:(Zn_2SiO_4/Si):Tb/Mn的制备被引量：1: 《真空科学与技术学报》2004年第3期238-240,共3页赵士超季振国刘坤宋永梁杨永德; 国家基础研究发展规划项目 (No .G2 0 0 0 0 683 0 6) ;自然科学基金重大项目 (No .90 2 0 10 3 8); 利用溶胶凝胶涂膜技术及高温固相反应技术 ,在硅片表面生长了掺铽和锰的两种高效硅基光致发光膜。XRD和吸收光谱分析测试结果表明 ,当固相反应温度高于 85 0℃时 ,在硅片表面形成了晶态的Zn2 SiO4薄膜。荧光光谱实验结果表明这种利用...; 关键词：硅酸锌固相反应硅基光电薄膜发光基体制备掺杂

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