河北省自然科学基金(502029)

作品数：7被引量：22H指数：3
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集成电路多层铜布线阻挡层CMP技术与材料被引量：2
《半导体技术》2006年第5期334-336,345,共4页李薇薇 檀柏梅 周建伟 刘玉岭 
国家自然科学基金资助项目(60176033);河北省自然科学基金资助项目(502029)
以化学机械全局平面化(CMP)动力学过程和机理为基础,在抛光浆料中采用粒径为1 5～20nm的硅溶胶作为CMP磨料,保证了高的抛光速率(200nm/min),同时可有效降低表面粗糙度,减少损伤层的厚度。
关键词：超大规模集成电路 阻挡层 钽 化学机械抛光 抛光浆料 
CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制被引量：2
《电子工艺技术》2005年第6期344-348,共5页李薇薇 刘玉岭 周建伟 王娟 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60176033);河北省自然科学基金资助项目(项目编号:502029)
化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面...
关键词：化学机械全局平面化 颗粒 吸附 键合 表面活性剂 
ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1726-1729,共4页邢哲 刘玉岭 檀柏梅 王新 李薇薇 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 3 3 );河北省自然科学基金 (批准号 :5 0 2 0 2 9)资助项目~~
以高浓度纳米 Si O2 水溶胶为磨料 ,H2 O2 为氧化剂的碱性抛光液 ,研究了适用于终抛铜 /钽的 CMP抛光液 .通过调节 p H值 ,降低抛光液的氧化 ,增强有机碱的作用 ,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率 ,得到了很好的铜 /钽抛光选择性 .
关键词：多层布线 化学机械抛光 阻挡层 抛光液 选择性 
ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化被引量：4
《半导体技术》2004年第7期18-20,34,共4页刘玉岭 邢哲 檀柏梅 王新 李薇薇 
国家自然科学基金资助项目(60176033);河北自然科学基金资助项目(502029)
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
关键词：化学机械抛光 抛光液 CMP 多层布线 ULSI 铜钽抛光 
铜CMP中SiO_2抛光液的凝胶及其消除实验被引量：3
《半导体技术》2003年第1期63-65,共3页王新 刘玉岭 康志龙 
国家自然科学基金资助项目(60176033);河北省自然科学基金资助项目(502029)
SiO2在不同的pH值抛光液中容易产生凝胶现象而使抛光液失效。通过控制实验时抛光液的pH值及加入适量的添加剂而使SiO2抛光液的凝胶问题得到解决。结果表明,当SiO2抛光液pH≤8时,产生凝胶;当SiO2抛光液pH≥9时,在抛光液中加入适量的活性...
关键词：抛光液 凝胶 消除实验 铜CMP SIO2 二氧化硅 
Cu-CMP抛光液中有机碱的化学作用实验分析被引量：1
《河北工业大学学报》2002年第5期31-34,共4页王新 康志龙 刘玉岭 
河北省自然科学基金资助项目(502029)
分析了带有羟基和双胺基的有机碱在Cu-CMP过程中的化学作用.为得到抛光液的最佳配比,在给定的实验条件下对铜进行抛光实验,得到了铜的抛光速率随有机碱浓度的化学作用曲线,并得到了有机碱在抛光液中的最佳浓度.实验结果表明:随着抛光液...
关键词：Cu-CMP 抛光液 有机碱 化学作用 实验分析 
ULSI铜互连线CMP抛光液的研制被引量：9
《Journal of Semiconductors》2002年第9期1006-1008,共3页王新 刘玉岭 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 3 3 );河北省自然科学基金 (项目编号 :5 0 2 0 2 9)资助项目~~
介绍了一种碱性抛光液 ,选用有机碱做介质 ,Si O2 水溶胶做磨料 ,依据强络合的反应机理 ,克服了 Si O2 水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点 .实验结果表明 :该抛光液适用于 Cu化学机械抛光过程第一阶段的抛光 ,并达到了高...
关键词：ULSI 铜互连线 化学机械抛光 抛光液 SiO2水溶胶 
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