国家高技术研究发展计划(2004AA1Z1070)

作品数：10被引量：19H指数：2
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相关机构：西安电子科技大学北京中电华大电子设计有限责任公司公安部第一研究所更多>>
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相关主题：闪速存储器静电放电负偏压温度不稳定性氢气NBTI更多>>
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EEPROM单元的电荷保持特性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1290-1293,共4页成伟 郝跃 马晓华 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究计划(批准号:104172)资助项目~~
利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成...
关键词：电可擦除可编程只读存储器 电荷保持 阈值电压 Fowler-Nordheim隧穿效应 
电荷泵电路功耗优化设计及改进被引量：2
《微电子学》2006年第3期373-376,共4页阙金珍 刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(60206006);国家高技术研究发展计划(2004AA1Z1070);教育部重点科技研究计划资助项目(104172)
通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μ...
关键词：电荷泵 功耗 EEPROM 优化设计 
恒流应力下E^2PROM隧道氧化层的退化特性研究被引量：3
《物理学报》2006年第5期2459-2463,共5页李蕾蕾 刘红侠 于宗光 郝跃 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题~~
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化...
关键词：E^2 PROM 隧道氧化层 退化 恒流应力 
超深亚微米PMOSFET的自愈合效应
《物理学报》2006年第5期2508-2512,共5页李晶 刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究项目(批准号:104172)资助的课题~~
主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.
关键词：负偏置温度不稳定性效应 自愈合效应 应力时间 PMOSFET 
超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理被引量：8
《物理学报》2006年第2期820-824,共5页李忠贺 刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究项目(批准号:104172)资助的课题.~~
对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的漂移上.实验证明反型沟道中空穴在栅氧中的俘获以及氢分子在栅氧中的扩散是引起NBTI退化的主要原因.当应...
关键词：超深亚微米PMOS器件 负偏压温度不稳定性 界面陷阱 氢气 
低电场应力下闪速存储器的退化特性
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2428-2432,共5页郑雪峰 郝跃 刘红侠 马晓华 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);国防预先研究计划(批准号:41308060305)资助项目~~
基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电...
关键词：闪速存储器 应力诱生漏电流 低电场应力 电容耦合效应 
非接触智能卡芯片ESD失效分析
《中国集成电路》2005年第10期86-89,共4页周建锁 
863计划资助项目(2004AA1Z1070)
非接触智能卡芯片在生产加工过程中不可避免地会产生由于静电放电(ESD)原因导致的失效。收集失效样品并进行分析,并最终确定失效模式,以及对失效点进行定位,这些都对芯片片上ESD保护电路的改进,以及生产加工环境静电防护措施的改进提供...
关键词：ESD保护电路 智能卡芯片 失效分析 生产过程 非接触智能卡 失效模式 静电放电 加工过程 科学依据 
第二代居民身份证制卡工艺静电测量及防护
《电子产品可靠性与环境试验》2005年第5期43-46,共4页聂岩 周建锁 董浩然 
863计划项目(2004AA1Z1070)
在第二代居民身份证的制卡制证过程中,静电放电(ESD)现象比较严重,成为主要的失效原因之一。在仔细测量的基础上,给出了整个制卡过程中生产环境的静电电压测量值。这些测量数据,对进一步分析制卡层压工序ESD现象,以及身份证模块ESD指标...
关键词：静电放电 静电测量 静电防护 
闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理被引量：1
《物理学报》2005年第12期5867-5871,共5页刘红侠 郑雪峰 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究计划(批准号:104172)资助的课题.~~
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效...
关键词：闪速存储器 应力诱生漏电流 电容耦合效应 可靠性 
闪速存储器中的热载流子可靠性研究被引量：1
《西安电子科技大学学报》2004年第6期821-824,共4页郑雪峰 郝跃 刘红侠 李培咸 刘道广 韩晓亮 
国家863计划VLSI重大专项资助项目(2004AA1Z1070);国家部委预研计划资助项目(41308060305)
提出了一种测量闪速存储器存储单元浮栅电压耦合率的方法.研究了采用负栅源边擦除的存储单元出现的退化现象,认为在擦除过程中源极附近的空穴注入产生界面态和氧化层陷阱,由该界面态和氧化层陷阱形成的应力导致漏电流是引起这种器件退...
关键词：闪速存储器 耦合率 应力导致的漏电流 
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