国家重点基础研究发展计划(G20000365)

作品数：41被引量：68H指数：4
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相关作者：林成鲁陈诺夫门传玲谢欣云杨少延更多>>
相关机构：中国科学院北京大学中国科学院微电子研究所中国科学院力学研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《压电与声光》《物理学报》《物理》更多>>
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脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究被引量：2
《功能材料与器件学报》2006年第4期264-268,共5页门传玲 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费(No.G20000365);国家自然科学基金(No.69976034No.90101012)资助
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长...
关键词：ALN薄膜 极化 电学性能 
PEG辅助的溶胶凝胶法制备多孔ZnO薄膜被引量：1
《功能材料与器件学报》2006年第4期338-342,共5页杨立荣 刘淑贤 靳正国 
国家重点基础研究专项经费(No.G20000365);国家自然科学基金(No.6997603490101012)资助
以醋酸锌为前驱体,乙醇为溶剂,二乙醇胺为络合剂,通过聚乙二醇(PEG)辅助的溶胶———凝胶法在玻璃基片上制备了ZnO多孔薄膜。利用IR、TG-DTA、XRD及SEM等测试方法对薄膜的结构和特性进行了分析。探讨了样品在溶胶-凝胶及煅烧过程中的物...
关键词：氧化锌 多孔薄膜 溶胶-凝胶 聚乙二醇 
CF_4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1434-1436,共3页刘倜 欧文 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G20000365);国家自然科学基金(批准号:60276023)资助项目~~
嵌入式FlashMemory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高FlashMemory的...
关键词：FLASH MEMORY 漏电流 电子势垒 F化隧穿氧化层 
超薄HfO_2高K栅介质薄膜的软击穿特性被引量：3
《固体电子学研究与进展》2005年第2期157-159,共3页韩德栋 康晋锋 杨红 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目(合同号:G20000365)
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象。分别利用在栅介质上加恒流应力和恒压应力两种方法研究了HfO2薄膜...
关键词：高介电常数栅介质 二氧化铪薄膜 软击穿 
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd...
关键词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱 
神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析被引量：2
《空间科学学报》2004年第6期455-461,共7页张富强 陈诺夫 吴金良 钟兴儒 林兰英 
国家载人航天工程;国家自然科学基金项目(60176001);国家重点基础研究专项经费(G20000365)
利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长...
关键词：神舟3号飞船 微重力 GaMnSb 稀磁半导体 X射线衍射 多晶结构 
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第8期967-971,共5页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1和 60 3 90 0 72 ) ;国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子...
关键词：硅 铁 低能离子束 重掺杂 
恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2004年第8期1009-1012,共4页韩德栋 康晋锋 王成钢 刘晓彦 韩汝琦 王玮 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 ...
关键词：恒电流应力 高κ HFO2 击穿 
HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第7期841-846,共6页王成刚 韩德栋 杨红 刘晓彦 王玮 王漪 康晋锋 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏...
关键词：HFO2栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530 
闪速存储器的单管多位技术
《微电子学》2004年第3期241-245,共5页李多力 欧文 
国家重点基础研究专项经费资助项目(G20000365);国家自然科学基金资助项目(60276023)
　为了在现有条件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。
关键词：闪速存储器 单管多位技术 多级单元 SONOS 
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