云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2011AA03A112)

国家高技术研究发展计划(2011AA03A112): 作品数：11被引量：20H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：罗毅郝智彪韩彦军李洪涛汪莱更多>>; 相关机构：清华大学厦门乾照光电股份有限公司中国科学院更多>>; 相关期刊：《光学精密工程》《半导体光电》《Chinese Physics B》《Science Bulletin》更多>>; 相关主题：分子束外延生长INGANCOB集成封装发光二极管更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

MBE growth of high absorption mid-IR type-II InAs/GaSb superlattices: 《Chinese Science Bulletin》2014年第20期2383-2386,共4页Geng Wang Lu Wang Hong Chen Wenxin Wang Zhenwu Shi Yulong Chen Miao He Pingyuan Lu Weining Qian; supported by the National High Technology Research and Development Program of China (2011AA03A112, 2011AA03A106 and 2013AA03A101);the National Natural Science Foundation of China (11204360, 61210014);the Science & Technology Innovation Program of Guangdong Provincial Department of Education of China (2012CXZD0017);the Industry-Academia-Research Union Special Fund of Guangdong Province of China (2012B091000169);the Science & Technology Innovation Platform of Industry-AcademiaResearch Union of Guangdong Province-Ministry Cooperation Special Fund of China (2012B090600038); Two kinds of short-period type II superlattices(SLs)InAs(6 monolayers(MLs))/GaSb(3 MLs)and InAs(8 MLs)/GaSb(8 MLs)which can serve for mid-infrared(MIR)detection have been grown by molecular beam epitaxy(MBE)on p-type ...; 关键词：分子束外延生长锑化镓超晶格砷化铟中红外高吸收 MLS InAs

集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化被引量：7: 《光学精密工程》2014年第5期1129-1137,共9页白一鸣罗毅韩彦军李洪涛; 国家科技支撑计划资助项目(No.2011BAE01B07,No.2012BAE01B03);国家973重点基础研究发展计划资助项目(No.2012CB315605,No.2011CB301900);国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2011AA03A112,No.2011AA03A106,No.2011AA03A105);国家自然科学基金资助项目(No.61176015,No.60723002,No.61176059,No.60977022,No.51002085);广东省科技计划资助项目(No.2011A081301003);北京市自然科学基金资助项目(No.4091001);集成光电子学国家重点联合实验室开放基金资助项目(No.IOSKL2012KF09); 基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响。计算结果表明:在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能...; 关键词：发光二极管集成封装 COB(Chip On Board) 光提取效率蒙特卡罗方法

Effect of In_x Ga_(1-x )N “continuously graded” buffer layer on InGaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition: 《Chinese Physics B》2013年第10期401-405,共5页钱卫宁宿世臣陈弘马紫光朱克宝何苗卢平元王耿卢太平杜春花王巧吴汶波张伟伟; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant Nos.2011AA03A112,2011AA03A106,and 2013AA03A101);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.11204360,61210014,and 61078046);the Science & Technology Innovation Program of the Department of Education of Guangdong Province,China (Grant No.2012CXZD0017);the Industry–Academia-Research Union Special Fund of Guangdong Province,China (Grant No.2012B091000169);the Science & Technology Innovation Platform of Industry–Academia-Research Union of Guangdong Province–Ministry Cooperation Special Fund,China (Grant No.2012B090600038); In this paper we report on the effect of an lnxGal xN continuously graded buffer layer on an InGaN epilayer grown on a GaN template. In our experiment, three types of buffer layers including constant composition, cont...; 关键词：INGAN reciprocal space map indium incorporation surface morphology

Fabrication of GaN-based LEDs with 22° undercut sidewalls by inductively coupled plasma reactive ion etching: 《Chinese Physics B》2013年第10期445-448,共4页王波宿世臣何苗陈弘吴汶波张伟伟王巧陈虞龙高优张力朱克宝雷严; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant Nos.2011AA03A112,2011AA03A106,and 2013AA03A101);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.11204360,61210014,and 61078046);the Science and Technology Innovation Program of Department of Education of Guangdong Province,China (Grant No.2012CXZD0017);the Industry–Academia Research Union Special Fund of Guangdong Province,China (Grant No.2012B091000169);the Science and Technology Innovation Platform of Industry–Academia Research Union of Guangdong Province–Ministry Cooperation Special Fund,China (Grant No.2012B090600038); We use a simple and controllable method to fabricate GaN-based light-emitting diodes （LEDs） with 22° undercut sidewalls by the successful implementation of the inductively coupled plasma reactive ion etching （ICP-...; 关键词：GAN light-emitting diode （LED） UNDERCUT

Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers: 《Chinese Physics B》2013年第10期449-452,共4页卢平元马紫光宿世臣张力陈弘贾海强江洋钱卫宁王耿卢太平何苗; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant Nos.2011AA03A112,2011AA03A106,and 2013AA03A101);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.11204360,61210014,and 61078046);the Science & Technology Innovation Program of Department of Education of Guangdong Province,China (Grant No.2012CXZD0017);the Industry–Academia Research Union Special Fund of Guangdong Province,China (Grant No.2012B091000169);the Science & Technology Innovation Platform of Industry–Academia Research Union of Guangdong Province–Ministry Cooperation Special Fund,China (Grant No.2012B090600038); Influences of the Si doping on the structural and optical properties of the InGaN epilayers are investigated in detail by means of high-resolution X-ray diffraction （HRXRD）, photolumimescence （PL）, scanning electr...; 关键词：Si doping INGAN V-shaped defect

基于烟囱效应的集成封装半导体照明光源散热结构优化设计被引量：4: 《半导体光电》2013年第5期732-737,共6页张国旺韩彦军罗毅李洪涛; 国家科技支撑计划项目(2011BAE01B07,2012BAE01B03);广东省科技计划项目(2011A081301003);北京市自然科学基金项目(4091001);集成光电子学国家重点联合实验室开放课题(IOSKL2012KF09);国家“973”计划项目(2012CB315605,2011CB301900);国家“863”计划项目(2011AA03A112,2011AA03A106,2011AA03A105);国家自然科学基金项目(61176015,60723002,61176059,60977022,51002085); 针对基于集成封装发光二级管(COB LED)的半导体照明光源,研究了引流孔的形状、尺寸和位置等对基于烟囱效应的散热器的散热特性的影响。CFD仿真模拟表明,对于50W热功率的COB LED散热结构,在导热板上形成两个面积为15cm2、以光源中心对称...; 关键词：COB LED 散热设计烟囱效应引流孔

具有渐变式折射率分布布拉格反射层的发光二极管被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2013年第4期355-358,共4页陈凯轩; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A112); 对具有渐变式折射率分布布拉格反射层(GRIN-DBR)的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层(C-DBR)的AlAs/Al0.45Ga0.55As的界面处插入5nm厚的折射率渐变层,可以使DBR的反射带宽从82nm增加到103nm。在20mA注入电流下,具...; 关键词：渐变式折射率分布布拉格反射层发光二极管金属有机化学气相外延

一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法被引量：1: 《物理学报》2013年第15期315-320,共6页戴隆贵禤铭东丁芃贾海强周均铭陈弘; 国家自然科学基金(批准号:11204360;61210014);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A112;2011AA03A106)资助的课题~~; 本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤,在2英寸的硅(001)衬底上制备了高度...; 关键词：激光干涉光刻纳米阵列刻蚀氟碳有机聚合物

基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器被引量：5: 《真空科学与技术学报》2012年第12期1089-1092,共4页郭智博汪莱郝智彪罗毅; 国家重点基础研究发展计划(2011CB301902;2011CB301903);国家高技术研究发展计划(2011AA03A112);国家自然科学基金项目(60723002;50706022;60977022;51002085);北京市自然科学基金重点项目(4091001);深圳市产学研和公共科技专项资助项目(08CXY-14)资助的课题; 制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气...; 关键词：ALGAN GAN高电子迁移率晶体管氢气传感灵敏度恢复特性

分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究被引量：1: 《物理学报》2012年第23期479-483,共5页胡懿彬郝智彪胡健楠钮浪汪莱罗毅; 国家自然科学基金(批准号:61176015;61176059;60723002;60977022;51002085);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301902;2011CB301903);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A112;2011AA03A106;2011AA03A105)资助的课题~~; 报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.; 关键词：INGAN 量子点反射式高能电子衍射

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家高技术研究发展计划(2011AA03A112)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家高技术研究发展计划(2011AA03A112)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索