国家高技术研究发展计划(2002AA404500)

作品数：6被引量：12H指数：2
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PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
《压电与声光》2011年第3期464-466,471,共4页束平 王姝娅 张国俊 戴丽萍 翟亚红 王刚 钟志亲 曹江田 
国家"八六三"计划基金资助项目(2002AA404500);国家"九七三"计划基金资助项目(G1999033105)
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量...
关键词：PZT薄膜 光刻胶 深反应离子刻蚀 刻蚀速率 铁电电容 
硅基AlN薄膜制备技术与测试分析被引量：7
《Journal of Semiconductors》2005年第1期42-45,共4页于毅 任天令 刘理天 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G19990 3 3 10 5 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA40 45 0 0 )资助项目~~
采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN...
关键词：AIN薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 半高宽 
退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响被引量：1
《仪器仪表学报》2003年第z2期309-310,共2页张宁欣 侯生根 任天令 刘理天 
国家"863"(2002AA404500)资助项目;"973"(G1999033105)资助项目
铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质。采用溶胶凝胶法,在Si/SiO_2/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜。实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采...
关键词：退火制度PZT 溶胶凝胶 漏导电流 
硅基AlN薄膜的成分与表面分析被引量：1
《仪器仪表学报》2003年第z2期278-279,共2页于毅 赵宏锦 任天令 刘理天 
国家"863"计划(2002AA404500)课题;"973"计划(G1999033105)课题
采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
关键词：氮化铝薄膜 成分 表面形貌 
集成铁电器件中的关键工艺研究被引量：3
《仪器仪表学报》2003年第z2期192-193,共2页杨轶 张宁欣 任天令 刘理天 
国家"863"(2002AA404500)资助;"973"(G1999033105)资助
对集成铁电器件中的关键工艺进行了研究,采用改进的溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备了高品质、(110)择优取向的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,成功的利用离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法对PZT薄膜进行了刻蚀加工,采用正胶剥离和...
关键词：铁电薄膜 锆钛酸铅 溶胶-凝胶 刻 蚀 剥 离 
压电微传声器的有限元分析被引量：1
《仪器仪表学报》2003年第z2期194-195,共2页杨轶 张林涛 任天令 刘理天 
国家"863"(2002AA404500)资助;"973"(G1999033105)资助
利用ANSYS软件建立了压电微传声器的有限元模型,对器件进行了结构静力分析、模态分析、谐波分析,计算模拟出微传声器的本征频率。通过模拟和分析,对压电传声器的设计参数进行了优化。对比表明,有限元分析的结果与解析方法以及实验结果...
关键词：压电传声器 有限元分析 ANSYS 
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