国防科技技术预先研究基金(8534)

作品数：6被引量：6H指数：1
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相关机构：西安电子科技大学四川固体电路研究所更多>>
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相关主题：场效应晶体管PMOSFET热载流子退化热载流子MOS器件更多>>
相关领域：电子电信更多>>
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通过直接栅电流测量研究PMOSFET's热载流子损伤
《Journal of Semiconductors》2002年第1期61-64,共4页张进城 郝跃 刘海波 
国防预先研究基金资助项目 (项目编号 :8.5 .3 .4)~~
通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中 PMOSFET's热载流子损伤的生长规律 .由此 ,给出了热载流子引起 PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释 .
关键词：直接栅电流测量 热载流子损伤 PMOSFET 场效应管 
PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1586-1591,共6页张进城 郝跃 朱志炜 
国防预先研究资助项目 (项目编号 :8.5 .3 .4)~~
对 PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究 ,给出了一个新的器件退化监控量 ,并建立了不同器件参数退化的统一模型 .模拟结果和测量结果的比较表明 ,新的退化模型具有较高的准确性和较宽的适用范围 .新的退化模...
关键词：PMOSFET 热载流子退化 退化模拟 寿命评估 场效应晶体管 
一种新的等离子体边缘损伤的测量方法
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1474-1480,共7页朱志炜 郝跃 张进城 
国家"九五"国防预研基金资助项目 ( No.8.5 .3.4)~~
在等离子体刻蚀多晶硅工艺中 ,栅边缘氧化层直接暴露在等离子体环境中 ,由于 U V射线的作用栅边缘处将会产生损伤 ,这种损伤包含了大量的界面态和氧化层陷阱 .文中讨论了等离子体边缘损伤与圆片位置关系、天线比之间的关系及它们对器件...
关键词：边缘损伤 天线比 电荷泵 等离子体 集成电路 刻蚀 多晶硅 
一个新的pMOSFET栅电流退化模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1315-1319,共5页张进城 郝跃 朱志炜 刘海波 
国防预先研究项目支持研究 (项目编号 :8.5 .3.4)~~
研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律 .给出了...
关键词：PMOSFET 热载流子退化 栅电流退化模型 场效应晶体管 
SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第4期486-490,共5页郝跃 朱建纲 郭林 张正幡 
"九五"国防预研资助!项目 (编号 :8.5 .3.4)&&
研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多特性的退化规律便会表现出来 .同时 ,应力漏电压...
关键词：SOI 热载流子 阈值电压 NMOSFET 应力损伤 场效应晶体管 
MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究被引量：4
《物理学报》2001年第8期1585-1589,共5页张进城 郝跃 朱志炜 
中国国防科技预研项目 (批准号 :8 5 3 4)&&
深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应 ,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨 .通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较 ,给出了满意的物理解释 .
关键词：MOS结构 薄栅氧化层 高场退火 退陷阱 MOS器件 
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