PMOSFET

作品数：101被引量：107H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃任迪远余学峰张鹤鸣陆妩更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国科学院微电子研究所中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究
《固体电子学研究与进展》2012年第1期10-13,共4页陈海峰 过立新 杜慧敏 
陕西省教育厅专项科研基金项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金项目(XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金项目(ZL2010-19)
研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的...
关键词：产生电流 衬底偏压 平带电压 p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
《固体电子学研究与进展》2010年第4期485-488,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 陈云 张振娟 黄静 徐静平 
国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金项目(09R08)
为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁...
关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 散射 迁移率 
超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第4期507-509,517,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 黄静 张振娟 徐静平 
国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝...
关键词：p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 氮化铪界面层 
考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型
《固体电子学研究与进展》2008年第2期193-197,共5页徐静平 张兰君 张雪锋 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散...
关键词：p沟金属氧化物半导体场效应晶体管 应变锗硅合金 空穴迁移率 
应变SiGe沟道PMOSFET阈值电压模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第2期180-184,234,共6页徐静平 苏绍斌 邹晓 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符合。利用此模型,模拟分析了各结构参数对器件阈值电压的影响,...
关键词：应变硅锗 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阈值电压 准二维模型 
SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第2期148-151,156,共5页邹晓 徐静平 李艳萍 陈卫兵 苏绍斌 
国家自然科学基金资助(6057602160376019)
通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽...
关键词：锗硅沟道 金属-氧化物-半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应 
应变Si_(1-x)Ge_x沟道PMOSFET空穴局域化研究
《固体电子学研究与进展》2004年第1期4-9,共6页杨荣 罗晋生 屠荆 
为充分利用应变 Si Ge材料相对于 Si较高的空穴迁移率 ,研究了 Si/Si Ge/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关系。在理论分析的基础上 ,以数值模拟为手段 ,研究了栅氧化层厚度、Si帽层厚度、Si Ge层 Ge组分及...
关键词：PMOSFET 空穴局域化 Δ掺杂 栅氧化层 Si帽层 SiGe层 缓冲层 
SiGe PMOSFET性能模拟被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第4期397-399,411,共4页孟令琴 费元春 毛峥 
由于受热力学基本定律的限制 ,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限 ,而 Si Ge材料的引入使得占据小于 1GHz频段的 Si产品可以进一步覆盖 2～ 30 GHz的 RF和无线通信市场。根据前人的材料研究工作 ,在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,...
关键词：SIGE PMOSFET 性能模拟 能带模型 迁移率参数 硅锗材料 器件结构 
深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟被引量：2
《固体电子学研究与进展》2003年第2期159-163,共5页杨荣 罗晋生 
为研究深亚微米尺度下应变 Si Ge沟改进 PMOSFET器件性能的有效性 ,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了 0 .1 8μm有效沟长 Si Ge PMOS及 Si PMOS器件特性。Si Ge PMOS垂直方向采用 Si/Si Ge/Si结构 ,横向结构同常规 PMOS,N+ -pol...
关键词：SIGE 深亚微米 锗—硅 P型金属—氧化物—半导体场效应晶体管 特性模拟 PMOSFET 
TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第1期18-22,共5页张海鹏 魏同立 宋安飞 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS0 9.8.1JW0 60 4)
从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFE...
关键词：SOI PMOSFET 导电机理 漏电流 二维解析模型 薄膜积累型 P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部