原子层外延

作品数：21被引量：16H指数：2
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GaN HEMT器件的AlN缓冲层MOCVD外延生长研究
《舰船电子对抗》2020年第5期116-120,共5页倪洪亮 吴金星 
探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 ALN缓冲层 金属有机化学气相沉淀 脉冲原子层外延 
ALE法对InSb/GaAs异质薄膜电学性能的改进被引量：2
《激光与红外》2017年第1期67-71,共5页尚林涛 刘铭 周朋 邢伟荣 沈宝玉 
以GaAs(100)为衬底,采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层,以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配(14.6%)对外延层质量造成的不利影响,从而改进异质外延薄膜的电学性能。实...
关键词：分子束外延 原子层外延 本征 INSB GAAS 
利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN被引量：5
《半导体光电》2001年第6期428-432,共5页刘宝林 
福建省自然科学基金重点资助项目 (E982 0 0 0 1)
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2 O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层GaN...
关键词：MOCVD 原子层外延 三步外延 器件质量 外延生长 氮化镓 
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延
《真空科学与技术》1998年第4期302-307,共6页樊玉薇 李永祥 吴冲若 
国家自然科学基金!69406002
介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简...
关键词：电化学 原子层外延 Ⅱ-Ⅵ族 化合物半导体 
ZnS:Mn原子层外延ACTFEL的老炼特性
《光电子技术》1997年第2期148-153,共6页樊卫华 
本文分析了以对称电压波形驱动的ZnS：MnACTFEL的老化过程。样品用对称波形的电压老炼，因而在老练过程中有一时间平均电场作用在荧光粉层上。利用瞬态测量来判定依赖于老炼过程的电压极性。当用对称老炼及产生正向时间平均场的波形作...
关键词：平均场 原子 对称 电场 极化 判定 时间 电压波形 电压极性 荧光粉层 
MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究被引量：1
《光子学报》1996年第4期318-321,共4页罗风光 曹明翠 李洪谱 万安君 徐军 李再光 
电科院预研基金
本文对 MOCVD 激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温 MOCVD 生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延.
关键词：MOCVD 激光诱导 选择原子层 外延生长 
用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构
《激光与光电子学进展》1995年第12期13-15,共3页赵伯林 林礼煌 
用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生...
关键词：外延生长 半导体材料 原子层 量子线 结构 
半导体碳化硅的研究现状与应用前景被引量：4
《稀有金属》1995年第3期204-210,217,共8页李玉增 
综述了碳化硅的的结构、性能与应用现状；讨论了原子层外延法生长β－ＳｉＣ薄膜及液相外延法制备蓝色α－ＳｉＣ发光管工艺，展望了半导体碳化硅材料的发展前景。
关键词：碳化硅材料(α-SiC β-SiC) 原子层外延(ALE) 蓝色发光管(LED) 液相外延(LPE) 
原子层外延ACZnS：Mn TFEL的老化对驰豫发光的影响
《发光快报》1994年第3期23-25,共3页
关键词：电致发光 发光器件 老化 驰豫 
GaAs原子层外延技术的现状及发展
《半导体情报》1993年第4期10-16,共7页戴国瑞 王庆亚 张玉书 
综述了原子层外延(ALE)技术的现状及其发展趋势。研究了晶体生长的程序设计和实验装置、生长的动力学模型及反应机制。对ALE薄膜的组成和结构进行了Raman和质谱分析。采用SPA原位诊断技术控制ALE的晶体生长,可有效地实现选择外延和图形...
关键词：砷化镓 原子层外延 发展 
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