栅介质

作品数：268被引量：261H指数：6
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混合金属离子的蛋清电解质门控ITO薄膜晶体管
《半导体技术》2024年第9期794-799,共6页刘畅 郭立强 王伟琳 蔡英杰 李文龙 孟艳芳 
绿色环保生物兼容性电子器件在其鲁棒计算、高效学习及可持续性方面受到了广泛关注。采用绿色环保生物材料鸡蛋清作为双电层薄膜晶体管的栅介质层,通过旋涂、磁控溅射工艺制备蛋清薄膜晶体管并进行电学测试。测试结果显示,器件表现出了...
关键词：蛋清栅介质 双电层晶体管 电学特性 突触可塑性 掺杂 
h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质氢终端金刚石场效应晶体管被引量：1
《半导体技术》2022年第9期687-691,724,共6页王维 蔚翠 何泽召 周闯杰 郭建超 马孟宇 高学栋 冯志红 
金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(...
关键词：金刚石 场效应晶体管(FET) 氢终端 六方氮化硼(h-BN) 栅介质 
不同退火氛围对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构电荷分布的影响
《半导体技术》2021年第1期64-69,共6页徐永贵 韩锴 高建峰 
国家自然科学基金资助项目(61674003);国家科技重大专项资助项目(2017ZX02301007-001)。
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO_(2)/Si和HfO_(2)/SiO_(2)界面的界面电荷密度...
关键词：高K栅介质 金属栅 退火 电荷分布 偶极子 
栅介质对随机掺杂波动引起MOSFET性能变化的影响
《半导体技术》2020年第2期145-149,共5页司鹏 姚丰雪 章凯 吕伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61571171);浙江省自然科学基金资助项目(LY18F040005).
根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动(RDF)引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同时通过改变栅介质的介电常数(ε)和等效氧化层厚度(dox),...
关键词：随机掺杂波动(RDF) 纳米MOSFET 等效栅介质 模拟/射频性能 蒙特卡罗分析 
Si离子辐照下Al2O3栅介质的漏电机制
《半导体技术》2019年第7期558-563,共6页陈曦 张静 朱慧平 郑中山 李博 李多力 张金晶 何明 
国家自然科学基金面上项目(61674003,61874135);中国科学院青年创新促进会资助项目(2016113)
基于Al/Al2O3/Si金属氧化物半导体(MOS)电容结构研究了30 MeV Si离子辐照前后Al2O3栅介质的泄漏电流输运机制。研究结果表明,相较于辐照前,Si离子辐照在栅介质层引起的正电荷俘获导致Al2O3与Si衬底界面处的势垒高度降低,使辐照后Al2O3...
关键词：Al2O3栅介质 Si离子辐照 输运机制 弗伦克尔-普尔(FP)发射 福勒-诺德海姆(FN)隧穿 
高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
《半导体技术》2018年第4期285-290,共6页刘倩倩 魏淑华 杨红 张静 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61504001);北京市自然科学基金资助项目(4162023)
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更...
关键词：HFO2 淀积后退火(PDA) C-V特性 等效氧化层厚度 平带电压 栅极泄漏电流 
基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制被引量：2
《半导体技术》2018年第3期177-180,232,共5页韩婷婷 吕元杰 刘沛 敦少博 顾国栋 冯志红 
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在（010）Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材...
关键词：β-Ga2O3 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) HfO2介质层 FE掺杂 漏源饱和电流 击穿电压 
栅介质氧化层缺失缺陷的形成原因及解决方案被引量：2
《半导体技术》2015年第3期205-210,共6页张红伟 
国家重大科技02专项资助项目(2011ZX02501)
氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点。研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案。结果表明,原位水蒸气生成(ISSG)热氧化形成栅介质氧化...
关键词：原位水蒸气生成(ISSG) 栅介质氧化层缺失 界面态 负偏压不稳定性(NBTI) 静态随机存储器(SRAM)成品率 
PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
《半导体技术》2013年第10期755-759,共5页徐大伟 程新红 曹铎 郑理 万文艳 俞跃辉 
国家重大研究计划资助的课题(2009ZX02039-006);国家自然科学基金资助项目(11175229)
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当...
关键词：等离子体预处理 等离子体增强原子层沉积（PEALD） 氧化铪 高介电常数材 料 界面优化 
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1
《半导体技术》2010年第12期1149-1152,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 徐静平 
国家自然科学基金(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO...
关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 氮氧钽铪界面层 高介电常数介质 散射 迁移率 
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