等离子体刻蚀

作品数：172被引量：335H指数：8
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单晶硅在等离子体刻蚀中沿不同晶向的各向异性
《微纳电子技术》2025年第2期73-80,共8页孟利园 李西军 李冉冉 张公开 王云生 曹杰 苏德香 张先锋 
阐述了单晶硅在等离子体刻蚀中沿不同晶向表现出各向异性刻蚀的原理。通过实现特定的结构直观地展示了单晶硅上形成深孔并继续横向刻蚀形成扩孔区的过程。总结了能够影响各向异性刻蚀的因素有晶向、深宽比、刻蚀条件,针对这三方面的因素...
关键词：单晶硅 等离子体刻蚀 晶向 各向异性 深宽比 
单晶硅微结构表面的制备及其减反射性能
《微纳电子技术》2016年第9期582-587,共6页方俊飞 杨金峰 
陕西省教育厅科研计划资助项目(15JK1115);陕西省科技统筹创新工程计划资助项目(2014SZS16-K02);陕西理工大学科研计划资助项目(SLGKYQD2-28)
利用聚苯乙烯胶体微球组装的单层胶体晶体阵列作为掩模板,分别采用反应离子刻蚀和等离子体刻蚀工艺在晶体硅表面构造出不同形态的微纳米结构,并研究不同刻蚀方法和不同刻蚀时间对微结构形态的影响作用。利用分光光度计测试得到微结构表...
关键词：单晶硅 微结构表面 聚苯乙烯胶体晶体 反应离子刻蚀 等离子体刻蚀 减反射 
相变材料等离子体刻蚀的研究进展
《微纳电子技术》2014年第5期315-323,共9页李俊焘 刘波 宋志棠 冯高明 朱南飞 任佳栋 封松林 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB934300;2013CBA01900;2011CBA00607;2011CB932804);中国科学院先导类专项资助项目(XDA09020402);国家集成电路重大专项资助项目(2009ZX02023-003);国家自然科学基金资助项目(61076121;61176122;61106001;61261160500;61376006);上海市科委资助项目(12nm0503701;13DZ2295700)
首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系。同时采用多种分析手段,对相变材料在...
关键词：等离子体刻蚀 相变材料 相变存储器(PCM) Ge2Sb2Te5 刻蚀损伤 刻蚀机理 
采用CHF_3和O_2等离子体刻蚀PI的各向异性研究被引量：1
《微纳电子技术》2012年第10期683-687,共5页吴峰霞 王文赫 
研究了一种有效刻蚀聚酰亚胺(PI)的干法刻蚀方法,以金属铬为掩膜,刻蚀经涂胶并亚胺化而得到具有一定厚度的PI薄膜。利用反应离子刻蚀设备(RIE)将O2和CHF3按一定比例混合,适当调节刻蚀压力、气体比例、功率、时间等因素,可以得到侧壁和...
关键词：聚酰亚胺(PI) 各向异性 微掩膜 深宽比 钝化膜 
基于电纺纤维的CuO/SnO_2薄膜及其气敏特性被引量：1
《微纳电子技术》2012年第7期449-453,共5页赵燕 何秀丽 贾建 高晓光 李建平 
国家自然科学基金资助项目(60871055)
研究了一种基于静电纺丝纳米纤维制备异质结薄膜的方法。采用静电纺丝技术在硅衬底上依次沉积PVP/CuCl2.2H2O和PVP/SnCl4.5H2O纳米纤维,经过氧等离子体刻蚀并高温退火处理后得到了基于多孔纳米纤维的CuO/SnO2异质结薄膜。利用扫描电子...
关键词：静电纺丝 纳米纤维 异质结薄膜 等离子体刻蚀 气敏特性 
聚酰亚胺微刻蚀加工工艺研究被引量：3
《微纳电子技术》2012年第5期323-327,共5页董拴成 苑伟政 马炳和 邓进军 郝日鹏 
国家自然科学基金资助项目(51105317)
研究了RIE刻蚀聚酰亚胺的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度与不同加工工艺参数(包括射频功率、腔室压力、刻蚀气体成分等)之间的相互关系。刻蚀速率与射频功率、腔室压力都呈线性关系,与气体成分的关系是低SF6含量时呈线性,高SF6含量时出现饱...
关键词：酰亚胺 等离子体刻蚀 柔性微结构 聚酰亚胺膜固定 微腔成型 
Tegal DRIE 3200赢得MEMS传感器制造商订单
《微纳电子技术》2009年第12期768-768,共1页
关键词：MEMS传感器 制造商 感应耦合等离子体刻蚀 订单 等离子刻蚀 磁约束装置 设备 多模块 
Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究被引量：7
《微纳电子技术》2006年第3期125-129,共5页宋颖娉 郭霞 艾伟伟 董立闽 沈光地 
国家基金(60506012);北京市教委(KZ200510005003);科技新星计划(2005A11);北京优秀人才计划(20051D0501502)
研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大...
关键词：感应耦合等离子体刻蚀 GaN 刻蚀速率 选择比 垂直度 
ICP刻蚀技术在MEMS器件制作中的应用被引量：10
《微纳电子技术》2005年第10期473-476,共4页李伟东 张建辉 吴学忠 李圣怡 
简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理。通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律。同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片。
关键词：微机电系统 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 
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