双层金属布线

作品数:7被引量:3H指数:1
导出分析报告
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者:傅义珠赵晓辉郭玉璞孙向然李宏更多>>
相关机构:惠科股份有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所中国科学院上海冶金研究所三洋电机株式会社更多>>
相关期刊:《Journal of Semiconductors》《微处理机》《微电子学》更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-7
视图:
排序:
双层金属布线中隔离介质淀积工艺研究
《微电子学》2009年第2期272-275,共4页方圆 
隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序。从隔离介质结构层次的选取入手,通过理论分析,选取SiO2-Si3N4两层介质为最佳隔离介质结构;着重对隔离介质淀积工艺进行深入研究。通过实验对比分析,确定芯片的隔离介质淀积...
关键词:微波功率器件 双层金属布线 隔离介质 淀积工艺 
双极数字集成电路的高低温失效分析被引量:1
《陕西科技大学学报(自然科学版)》2004年第4期93-96,共4页靳宝安 
分析了在可靠性试验中双极型数字集成电路大批失效的原因,即电路中双层金属布线之间的SiO2绝缘介质在高低温的作用下所产生的应力导致了二次铝互连引线断裂开路,从而造成了该电路的失效。在此基础上改进了其生产工艺,完成了其设计定型,...
关键词:表面钝化 介质隔离 双层金属布线 
双层金属布线中介质平坦化技术被引量:1
《微处理机》2004年第2期8-9,11,共3页赵晓辉 李宏 孙向然 
本文主要叙述了双层金属布线中介质平坦化的工艺及原理。
关键词:超大规模集成电路 双层金属布线 平坦化 腐蚀 淀积 
适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究
《Journal of Semiconductors》1997年第3期218-222,共5页徐秋霞 海潮和 陈焕章 赵玉印 李建勋 
多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一.本文系统地研究了用效0.8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术,特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析...
关键词:多层布线技术 VLSI CMOS 
双层金属布线2μm CMOS万门门阵列(LC4750)工艺研究被引量:1
《微处理机》1997年第1期16-19,27,共5页郭玉璞 
介绍了双层金属布线2μm硅栅CMOS万门门阵列(LC4750)的研制过程、工艺设计和工艺控制,讨论了关键工艺的各种方法、条件及试验结果,并对新工艺线的工艺能力做了认真分析。
关键词:集成电路 CMOS 门阵列 布线 
双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究
《Journal of Semiconductors》1993年第1期36-42,共7页郑养鉥 张敏 凌栋忠 吴璘 顾惠芬 郑庆云 邱斌 
采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS 500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规模集成电路。本文对双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺...
关键词:集成电路 多层布线 CMOS 工艺 电路 
反应离子刻蚀(RIE)腐蚀双层金属布线中介质孔及有关...
《上海半导体》1992年第1期21-25,共5页张一平 祝军 
关键词:反应离子刻蚀 腐蚀 金属布线 AES 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部