缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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2023年粉体行业大盘点●第三代半导体
《中国粉体工业》2023年第6期15-17,21,共4页
产业政策河北省科技厅:将碳化硅衬底等列入重点研发项目!2023年,10月,河北省科学科技厅对2023年新一代电子信息和新能源领域拟立项重点研发计划项目予以公示。其中“低缺陷密度8英寸碳化硅单晶衬底制备技术及应用示范”和“碳化硅功率...
关键词：碳化硅功率器件 陶瓷封装 电子信息 缺陷密度 河北省科技厅 研发计划 产业政策 碳化硅衬底 
外延缺陷对分布反馈半导体激光器可靠性的影响
《中国标准化》2021年第13期188-191,共4页张坤伟 焦梦丽 曹晨涛 赵润 
通过对分布反馈半导体激光器(DFB-LD)外延片缺陷密度、芯片反向电压以及芯片可靠性三者关联关系的分析,推断出芯片反向电压与芯片可靠性的相关性。设计并通过试验证实反向电压绝对值低的芯片可靠性差,而反向电压满足一定判定标准的芯片...
关键词：分布反馈半导体激光器 反向电压 二次外延生长 外延缺陷密度 失效率 
宽禁带半导体产业大尺寸第三代半导体氮化镓衬底产业化项目
《中国粉体工业》2020年第1期65-68,共4页
一、项目单位简介实现第三代半导体高性能器件产业化和规模化应用的关键是要获得价格合理的低缺陷密度GaN晶体基片。本项目技术团队所拥有的高技术和低成本优势在国内外是独一无二的,技术领先、工艺成熟,已经具备大规模量产的条件。本...
关键词：微电子器件 宽禁带半导体 光电子器件 氮化镓 缺陷密度 工艺成熟 低成本优势 技术团队 
氧化镓MOSFET
《半导体信息》2019年第5期16-17,共2页
位于柏林的费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)开发了具有创纪录价值的氧化镓功率晶体管。仍在研发中的β氧化镓正在引起人们的轰动,用于功率半导体应用。它是一种宽带隙技术,这意味着它比传统的基于硅的设备更快,并且...
关键词：功率半导体 功率晶体管 氧化镓 击穿电压 缺陷密度 外延层 MOSFET 击穿场强 
晶片键合技术实现器件新发展
《半导体信息》2015年第3期35-35,共1页科发 
硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置成本过高等。基于不同材料可在等离子体激活条件下直接键合这...
关键词：化合物半导体 外延生长 键合技术 生长界面 直接键合 缺陷密度 集成方式 购置成本 沉积速率 
超过20kV:半导体元件的世界最高耐压
《半导体信息》2012年第3期18-19,共2页江兴 
日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒畅等人的研究小组,试制出了耐压高达21.7 kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件,但超过20 kV的尚为首次,"是半导体元件中的世界最高值"。该二极管的设想用途为置换...
关键词：半导体元件 kV 日本京都大学 功率元件 专业教授 工学 导通电阻 功率半导体 缺陷密度 空间调制 
半导体材料晶片加工应力控制研究
《天津科技》2009年第1期76-78,共3页秦学敏 吕菲 马玉通 靳彩明 
晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程,并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加工过程中会对单晶造成不同程度的损伤,改变单晶内部应力。通过对单晶滚磨、切割、倒角等加工过程的研究...
关键词：半导体材料 晶体 缺陷密度 应力 
选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展
《中国科技信息》2008年第1期285-285,共1页张帷 刘彩池 郝秋艳 
基金项目：教育部新世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金（E2005000042）
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广泛的应用，降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键，也是人们始...
关键词：GAN薄膜 生长技术 制备 化合物半导体 Ⅲ族氮化物 化学性质 缺陷密度 宽禁带 
Altera在65nm半导体工艺上的发展策略
《中国集成电路》2006年第11期49-54,共6页
关键词：ALTERA TSMC FPGA 半导体工艺 测试芯片 缺陷密度 NM 发展策略 
半导体工艺技术与半导体设备的关系被引量：7
《微电子技术》2002年第3期27-32,共6页颜燕 
半导体工艺技术的发展涉及多门学科和多种因素 ,而其中半导体设备的作用至关重要。本文以世界上最大的半导体设备制造商———美国应用材料公司 (AppliedMaterialsCO .)生产的众多半导体设备中的刻蚀设备的发展为主线 ,从一个侧面阐述...
关键词：缺陷密度 刻蚀 介质 
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