总剂量效应

作品数：278被引量：571H指数：10
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郭红霞何宝平郭旗姚志斌崔江维更多>>
相关机构：西北核技术研究所中国科学院大学西安电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家科技重大专项中国科学院西部之光基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=核电子学与探测技术x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
N型MOSFET器件总剂量效应通用测试系统设计
《核电子学与探测技术》2024年第4期622-630,共9页郭荣 梁润成 李国栋 郑智睿 孙丹 韩毅 郝焕锋 陈法国 闫学文 
山西省基础研究计划项目(202203021222407);山西省应用基础研究计划(20210302124486)。
抗辐照电机驱动器研发需要准确获取电桥电路金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)器件的总剂量效应失效阈值,电流-电压、电容-电压等离线测试方法,无法真实反映器件开关性能随累...
关键词：N型MOSFET 总剂量效应 失效阈值 测试系统 
基于PXI标准的功率器件总剂量效应测试系统研制
《核电子学与探测技术》2024年第3期415-419,共5页袁国军 李兴隆 肖思敏 张莉 黄晓鹏 吴建华 刘阳 
国防科工局核能开发科研项目(No.BA19000111);中国核工业集团稳定科研项目(No.BJ20002411)。
设计了一款针对功率器件的总剂量效应测试系统。该系统基于外围组件互连(PXI)扩展主机系统,设计了测试板卡,并通过设计不同工艺的半导体功率器件测试工装,实现功率器件的批量自动化测试。结果表明,氮化镓工艺的功率器件的耐总剂量效应...
关键词：功率器件 PXI 总剂量效应 
辐射敏感器件辐射设计裕量指标的计算
《核电子学与探测技术》2015年第10期1048-1050,1056,共4页刘燕芳 
为了降低辐射对操作设备所产生的危害,在寿命周期内满足规定的连续性和可用性等可靠性指标要求。综合考虑设备所处位置的辐射特性,建立了总剂量效应敏感器件和位移损伤效应敏感器件RDM的一种计算方法。建设性地提出了辐射敏感器件施加不...
关键词：辐射敏感器件 辐射设计裕量 风险控制 总剂量效应 位移损伤效应 风险等级 
深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
《核电子学与探测技术》2013年第6期735-738,774,共5页李斌 许跃彬 潘元真 
国家自然科学基金资助项目(60776020);国际合作项目(Cadence公司资助)
总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要...
关键词：总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化 
新型微电子技术电离辐射总剂量效应面临的挑战被引量：2
《核电子学与探测技术》2011年第1期115-119,共5页郭红霞 王伟 张凤祁 罗尹虹 张科营 赵雯 
随着器件特征尺寸的不断减小,在器件结构和工艺上采取了新的措施。分析了STI(shallo★trench isolation)隔离导致器件电离辐射总剂量效应的损伤机理;对不同工艺集成电路的抗总剂量TII(Total Ionizing Dose)能力进行了比较分析;对近来比...
关键词：浅槽隔离 总剂量效应 微剂量效应 
运算放大器总剂量效应的PSPICE模拟计算被引量：4
《核电子学与探测技术》2010年第10期1297-1302,共6页赵雯 郭红霞 何宝平 张凤祁 罗尹虹 姚志斌 
对双极及体硅CMOS工艺的单一和复合运算放大器的总剂量效应进行了PSPICE模拟计算,模拟通过改变运算放大器总剂量效应的敏感参数来实现,双极运算放大器的敏感参数是补偿电容和晶体管的电流放大倍数,CMOS型运算放大器的敏感参数是MOS管的...
关键词：总辐射剂量效应 运算放大器 PSPICE 
稳态总剂量效应(TID)试验剂量率选择的研究被引量：1
《核电子学与探测技术》2010年第2期222-228,共7页王群勇 刘燕芳 陈宇 姜大勇 白桦 
通过调研分析,发现ESA/SCC 22900和MIL-STD-883G方法1019.7在剂量率的选择等方面存在较大差异。针对美国宇航局NASA发布的TID试验报告中总剂量及其对应的剂量率值进行统计分析,了解到不同工艺器件进行TID试验时采取多步骤辐射,辐射过程...
关键词：稳态总剂量 剂量率 界面态 氧化物陷阱电荷 
MOS器件总剂量效应敏感参数及其损伤阈值的概率模型分析被引量：1
《核电子学与探测技术》2009年第2期419-422,共4页张科营 郭红霞 何宝平 罗尹虹 
针对特征工艺尺寸为0.6μm NMOS进行了60Co电离辐照试验,分析了MOS器件总剂量辐照效应的原因,详细介绍了处理电离辐照试验数据的方法。建立了总剂量辐照效应的损伤阈值的统计概率模型,估计模型参数并对其进行了验证,结果表明,N型MOS的...
关键词：场氧隔离 概率模型 不确定度 
星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究被引量：2
《核电子学与探测技术》2008年第3期538-542,共5页薛玉雄 曹洲 郭祖佑 杨世宇 田恺 
本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中,采用JT?1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值...
关键词：辐射效应 功率MOSFET器件 总剂量效应 Γ射线 
CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探
《核电子学与探测技术》2004年第6期745-748,共4页罗尹虹 龚建成 关颖 石小峰 郭红霞 
利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60C...
关键词：CMOS器件 阈值电压漂移 总剂量效应 NMOSFET PMOSFET 陷阱电荷 界面态 ^60CO 损伤 辐照 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部