最高振荡频率

作品数：18被引量：13H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：刘新宇刘果果魏珂黄俊程伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所南京电子器件研究所北京工业大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《人工晶体学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家部委预研基金北京市科技新星计划国家重点实验室开放基金更多>>
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最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2021年第3期F0003-F0003,共1页戴姜平 孙岩 李征 常龙 姚靖懿 程伟 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能...
关键词：单片集成电路 击穿电压 最高振荡频率 电流增益 高频性能 截止频率 磷化铟 DHBT 
最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
《固体电子学研究与进展》2013年第6期F0003-F0003,共1页程伟 王元 赵岩 陆海燕 牛斌 高汉超 
太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器...
关键词：InGaAs InP 最高振荡频率 太赫兹 DHBT GHz 异质结双极型晶体管 集成功率放大器 l f噪声 
4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT被引量：3
《固体电子学研究与进展》2007年第3期320-324,共5页任春江 李忠辉 焦刚 董逊 李肖 陈堂胜 李拂晓 
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 单位截止频率 最高振荡频率 
Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟被引量：2
《固体电子学研究与进展》1998年第3期291-301,共11页张万荣 罗晋生 李志国 孙英华 穆甫臣 程尧海 陈建新 沈光地 
国家教委博士点基金;北京市科技新星计划基金;电子部5所国家重点实验室基金
用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时，还建立了与之相应的Si／SiGeeb异质结和SiGe／Sibc异质结电容模型。
关键词：异质结 晶体管 截止频率 最高振荡频率 HBT 
InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）
《固体电子学研究与进展》1996年第3期254-258,共5页续竞存 
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ...
关键词：截止频率 最高振荡频率 热电子晶体管 
最高振荡频率为46　GHz的GaInP／GaAs异质结双极晶体管被引量：2
《固体电子学研究与进展》1995年第3期309-310,共2页钱峰 陈新宇 肖秀红 姚晓峨 周天舒 潘菁 陈效建 齐鸣 李爱珍 
最高振荡频率为４６　ＧＨｚ的ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管钱峰，陈新宇，肖秀红，姚晓峨，周天舒，潘菁，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）齐鸣，李爱珍（中科院上海冶金所，２０００５０）Ａｆ＿（ｍａｘ）＝４...
关键词：异质结 双极晶体管 半导体器件 
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