光刻模拟

作品数：21被引量：40H指数：4
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基于微电子机械系统加工的光刻模拟工艺研究
《现代制造技术与装备》2024年第7期18-20,共3页杨永杰 康正阳 尹春山 
微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)器件的制造离不开光刻工艺,而光刻工艺的优化对于提升MEMS器件的性能至关重要。针对MEMS加工中的光刻工艺展开研究,设计一套完整的光刻模拟工艺流程,包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻...
关键词：微机电系统(MEMS) 光刻工艺 硅微结构 
准分子激光线宽对光刻性能的影响
《应用激光》2010年第2期139-141,共3页刘逸轩 周金运 欧阳琴 
国家自然科学基金资助项目(项目编号:60977029);广东省科技计划项目(项目编号:2009B010900049);广东工业大学重大项目培育专项(项目编号:092010)
描述了激光线宽对光刻过程的影响模型建立过程中所使用的方法。成像透镜产生的色差结合实际激光光谱可以把激光线宽的影响包括在光刻模拟的模型中,使用PROLITH软件模拟了线宽对空间像的临界尺寸、焦深、曝光宽容度的影响,孤立线和半孤...
关键词：准分子激光 线宽 色差 光刻模拟 
标准单元可制造性分级
《现代电子技术》2008年第24期34-36,共3页张子文 龚敏 陈岚 
随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行...
关键词：可制造性 标准单元 权重 光刻模拟 
一种用于光刻模拟的新光源模型
《江南大学学报（自然科学版）》2007年第5期528-531,共4页李智峰 史峥 陈晔 
国家自然科学基金项目(60176015)
讨论提出用连续的光源描述函数代替0～1分布的光源函数精确描述光源光强分布，以提高光刻分辨率．在SPIAT的基础上应用新的光源特征函数，建立新的光源模型，并结合测试模板进行仿真．结果显示，新的模型在精度上有较为明显的改善，新...
关键词：光刻仿真 光源 光学临近校正 
SU-8胶深紫外光刻模拟被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1465-1470,共6页冯明 黄庆安 李伟华 周再发 朱真 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50325519)~~
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可...
关键词：SU-8胶 光刻模拟 显影轮廓 
深亚微米标准单元库的可制造性设计被引量：1
《半导体技术》2007年第9期771-775,共5页李宁 王国雄 
针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准。实例表明,新的工...
关键词：标准单元库 可制造性 工艺规则 光刻模拟 
亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术被引量：2
《江南大学学报（自然科学版）》2006年第6期679-684,共6页李季 史峥 沈珊瑚 陈晔 
国家自然科学基金项目(60176015)
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨...
关键词：离轴照明 次分辨率辅助图形 分辨率增强技术 光刻模拟 
光刻模拟引领技术前沿
《集成电路应用》2006年第9期23-29,共7页Aaron Hand 
随着半导体制造工艺迈进130纳米乃至更先进的技术节点,光刻技术由一门技术转变为一项科学已经成为一种无法逆转的趋势。现在生产商们正致力于提高技术的研发速度和成功率力求进一步提高产品的合格率以及尽早的抢占市场。
关键词：模拟技术 光刻模拟 技术发展趋势 集成电路芯片 光刻技术 光刻工艺 电路元件 复杂程度 优化表 光波长 
集成电路光刻模拟的数据后处理研究
《甘肃联合大学学报（自然科学版）》2006年第3期39-42,共4页贾志城 陈乖丽 
在集成电路光刻过程中,利用光刻模拟软件将光刻模拟结果与设计模板进行比较可以预先发现模板设计中的缺陷.由于光刻模拟软件与模板设计软件数据格式的不同影响了这一步工作的顺利完成.本文通过对两种软件数据格式的研究,利用Perl语言实...
关键词：光学邻近校正 光刻模拟 数据处理 
用于光刻胶刻蚀过程模拟的二维动态CA模型被引量：2
《电子学报》2006年第5期906-910,共5页周再发 黄庆安 李伟华 卢伟 
国家杰出青年科学基金(No.50325519)
针对光刻工艺模拟,首次建立了光刻胶刻蚀过程模拟的2-D动态元胞自动机(CA)模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,使得模拟只需要计算表面元胞的刻蚀过程.模型既有稳定性好的优点,又有运算速度快的优点.采用一些公认的...
关键词：元胞自动机 工艺模拟 光刻模拟 工艺模型 
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