光学邻近效应

作品数:34被引量:53H指数:3
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相关作者:李艳秋马旭罗先刚郭永康王长涛更多>>
相关机构:ASML荷兰有限公司中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力集成电路制造有限公司更多>>
相关期刊:《微电子技术》《光学学报》《微细加工技术》《中国集成电路》更多>>
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光刻、OPC与DFM被引量:5
《电子工业专用设备》2006年第4期18-22,共5页翁寿松 
讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。
关键词:芯片设计 光刻 光学邻近效应校正 可制造性设计 分辨率增强技术 
光学光刻技术向纳米制造挺进
《电子工业专用设备》2004年第3期22-26,共5页葛劢冲 刘玄博 
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技...
关键词:光学光刻 光学邻近效应校正 下一代光刻 纳米制造 优势与前景 
迎接亚100nm的挑战
《电子工业专用设备》2003年第5期1-3,83,共4页本刊编辑部 
关键词:光刻技术 光学邻近效应校正 半导体 分辨力增强技 掩模制造 晶体管 介电率 离子注入 
光学光刻的波前工程被引量:3
《电子工业专用设备》2003年第5期50-52,共3页翁寿松 
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。
关键词:光学光刻 波前工程 移相掩模 光学邻近效应校正 
深亚微米光学光刻工艺技术被引量:2
《电子工业专用设备》2000年第3期8-12,共5页谢常青 
光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相...
关键词:移相掩模 光学邻近效应 远紫外光刻胶 对准 
具有增大焦深作用的全芯片光学邻近效应校正技术
《电子工业专用设备》1998年第1期43-49,共7页立文 
叙述了一种根据空间像匹配原理,进行光学邻近效应校正(OPC)的实用方法。此方法采用了三种超高分辨率图形技术:散射条,抗散射条和修饰图形。通过利用顶角“图形工具”,实现了超大规模微处理机随机逻辑芯片的全芯片光学邻近效应...
关键词:光刻 OPC 晶体管 IC 
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