高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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一种提高氮化镓高压功率器件动态可靠性的快速筛选方法
《微电子学》2024年第3期503-510,共8页沈竞宇 范文琪 邱金朋 
国家自然科学基金资助项目(62174017)。
为了快速筛选出由电流崩塌、阈值漂移导致失效的氮化镓(GaN)器件,提出了一种基于晶圆测试的创新筛选方法,旨在更好地筛选出高可靠性的650 V增强型GaN功率器件,在封装之前消除固有缺陷导致的动态失效,解决实际应用中的动态可靠性问题。...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 可靠性 寿命 筛选方法 
小型化L波段1000W GaN内匹配功率管研制
《微电子学》2022年第6期1050-1054,共5页刘坤 
L波段功率单管有增大功率的需求,但会面临体积较大的问题。基于0.5μm工艺研发了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,单芯功率达到300 W。通过负载牵引仿真提取模型的输入、输出最佳阻抗点。用高介电常数薄膜电路设计L-C网络,拉高芯片的...
关键词：L波段 内匹配 氮化镓 高电子迁移率晶体管 
栅下双异质结增强型AlGaN/GaN HEMT被引量：3
《微电子学》2022年第1期132-138,共7页陈飞 冯全源 杨红锦 文彦 
国家自然科学基金重点资助项目(62090012,62031016,61831017);四川省重点资助项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028)。
为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。使用双异质结电荷控制模型分析了基本机理,推导了阈值电压表达式。仿真结果表明,器件阈值电压与调制层Al组分呈线性关系。当调制层Al组分小...
关键词：增强型 高电子迁移率晶体管 阈值电压 双异质结 电荷控制模型 
高温及关态应力条件下GaAs pHEMT器件的性能退化研究被引量：1
《微电子学》2020年第6期932-936,共5页化宁 王佳 王茂森 杜祥裕 戴杰 
研究了高温和电学应力下砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管的直流特性退化机理。高温下陷阱辅助发射电流引起器件关态漏电上升,而载流子迁移率的退化引起跨导降低;当温度达到450 K时,栅金属的沉降效应会导致跨导异常升高。进一步研究了不同...
关键词：砷化镓 赝晶高电子迁移率晶体管 高温退化 
0.25μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理被引量：1
《微电子学》2020年第5期761-765,共5页麻仕豪 化宁 张亮 王茂森 王佳 
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境。研究了高温与电应力对0.25μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响。该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要受陷阱辅助发射机制和隧穿电流机制的影响。建立模型,对不同...
关键词：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 栅极漏电流 漏电机制 
氮化镓基高电子迁移率晶体管Kink效应研究被引量：1
《微电子学》2019年第6期858-861,867,共5页朱培敏 陈雷雷 金宁 吴静 姜玉德 田葵葵 黄宜明 闫大为 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(61504050,11604124,51607022)
研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生Kink效应的物理机制,并进行了实验测试。测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压较大时,扩散进入耗尽区的电子在高场作用下形成热电子,碰撞电离出深能级施主态中的非平衡电子,第二次扫描...
关键词：氮化镓器件 高电子迁移率晶体管 KINK效应 热电子 
基于0.15μm pHEMT的超宽带低噪声放大器被引量：4
《微电子学》2017年第4期478-482,共5页张会 钱国明 
国家自然科学基金资助项目(11403080)
采用RC负反馈、源极电感负反馈等方法,设计并制作了一种基于MMIC技术的3～15 GHz超宽带低噪声放大器,在超宽带范围内实现了优良的回波损耗和平坦的高增益。采用0.15μm Ga As p HEMT工艺进行设计,该放大器的芯片尺寸为2 mm×1 mm,直流...
关键词：赝同晶高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 单片微波集成电路 超宽带 
一种带有背电极的高耐压AlGaN/GaN RESURF HEMT被引量：4
《微电子学》2013年第6期855-858,共4页赵子奇 杜江锋 杨谟华 
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道...
关键词：A1GaN GaN 高电子迁移率晶体管 RESURF背电极 
14～14.5GHz 20W GaAs PHEMT内匹配微波功率管被引量：1
《微电子学》2009年第5期725-728,共4页赵博 唐世军 王帅 
介绍了一种Ku波段内匹配微波功率场效应晶体管。采用GaAs PHEMT 0.25μmT型栅工艺,研制出总栅宽为14.4mm的功率PHEMT管芯。器件由四管芯合成,在14～14.5GHz频率范围内,输出功率大于20W,附加效率大于27%,功率增益大于6dB,增益平坦度为±0...
关键词：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 微波功率场效率晶体管 
高电子迁移率晶体管器件模型
《微电子学》1996年第2期107-111,共5页刘诺 谢孟贤 
（Ａｌ．Ｇａ）Ａｓ－ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）具有跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快以及功耗低等特点。是一种比ＭＥＳＦＥＴ优越的新型器件。在器件模拟这一领域，已经发展了一维分析模型、二维数值模型或半数...
关键词：高电子迁移率 晶体管 器件模拟 砷化镓 
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