压控电容

作品数:10被引量:10H指数:2
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相关机构:清华大学南京电子器件研究所电子科技大学诺韦尔达公司更多>>
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一种适用于高速动态比较器的失调电压校正技术
《电子设计工程》2025年第5期90-95,共6页高亮 江先阳 
比较器是模数转换器中的重要模块,高速高精度既是比较器设计的重点,也是设计的难点。文中提出了一种基于电荷泵控制的失调电压消除技术,在满足比较器高速性能的同时,有效降低了失调电压,提高了比较器的精度。这项技术在时钟路径中引入...
关键词:动态比较器 输入失调电压前台校正 高速 压控电容 
用于Lamé模态方块谐振器的压控电流源模型
《微纳电子技术》2015年第12期770-778,共9页梁冰 宋亚梅 鲍景富 李昕熠 
国家自然科学基金资助项目(11176006)
提出了一种可以用于Lamé模态方块微机械谐振器的压控电流源模型。推导了器件的电气参数以建立电路模型。模型中还加入了一个压控调谐电容来描述谐振器的频率非线性特性。该电容值和模型中的其他参数既可以通过理论计算也可以通过不同...
关键词:压控电容 压控电流源(VCCS)模型 非线性 微机械谐振器 等效参数 
影响MEMS压控电容变化范围的因素分析
《电子器件》2008年第3期786-790,共5页曹天捷 丁芳 
采用静电场力作用下二维三阶段微梁的静力分析模型,分析了影响两侧下拉电极MEMS压控电容可控范围的因素,这些因素包括:驱动电极的位置、电容极板的初始间隙、电容极板长度、介质层的厚度、介质的介电常数等,通过分析可以了解各因素对MEM...
关键词:MEMS 压控电容 微梁静力分析 静电场力 介质 
一种MEMS压控电容设计及其相位噪声分析
《功能材料与器件学报》2008年第2期539-543,共5页王政 刘泽文 
给出了一种MEMS压控电容的设计和相位噪声分析结果。在电容器结构中引入衬底金属层以达到控制寄生电容的目的;使用HFSS进行了上极板开孔对电容的影响的仿真,得到了不影响电容值的最佳尺寸是5微米。在恒寄生电容的假设下分析了MEMS压控...
关键词:MEMS压控电容 可控寄生电容 刻蚀孔 相位噪声 
两侧下拉电极MEMS压控电容的分析和优化被引量:3
《光学精密工程》2005年第2期135-143,共9页刘泽文 韦嘉 王昱 方杰 刘理天 李志坚 
国家973计划资助项目(No.G1999033105)
基于能量法对两侧下拉电极控制(SPEC)的MEMS(微机电系统)压控电容进行了分析和优化。使用数值迭代方法计算了压控电容可动极板的挠度试解函数,得到了试解函数形状在不同驱动电压下的曲线。计算结果与有限元仿真所得结果一致。在此基础上...
关键词:压控电容 微机电系统 能量法 
三极板型RFMEMS压控电容的分析与制作
《仪器仪表学报》2004年第z1期422-423,共2页韦嘉 梁雪冬 刘泽文 李志坚 
国家973资助项目(G1999033105)。
设计并制作了基于硅基的射频微机械压控电容。该电容采用三对极板的传动结构,当两侧控制极板受到静电力驱动时,位于中部的电容极板将得到更大的位移。能量分析和软件模拟表明,该结构有助于提高压控电容的变化比例。测量表明,该电容品质...
关键词:压控电容 射频 微机械 
用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容被引量:6
《压电与声光》2003年第3期252-254,共3页梁雪冬 刘泽文 刘理天 李志坚 
国家"九七三"重点基金项目
在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施...
关键词:MEMS压控电容 崩塌效应 控制极板 悬臂梁 牺牲层 
高调节范围RFMEMS压控电容的设计与模拟被引量:1
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期179-182,共4页梁雪冬 刘泽文 刘理天 李志坚 
对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容,它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板,电容极板用于传输交流信号,而直流控制电压施加在控制极板上...
关键词:MEMS压控电容 崩塌效应 牺牲层 聚酰亚胺 
射频MEMS压控电容器被引量:1
《固体电子学研究与进展》2002年第2期146-148,共3页朱健 林立强 林金庭 
国家预研基金项目 (5 14 0 80 3 0 10 1DZ65 0 1) ;江苏省自然科学基金项目 (BK2 0 0 1192 );江苏高技术研究项目 (BG2 0 0 10 2 0 )支持
研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容...
关键词:射频 微机电系统 传输线 压控电容器 制造 介质层 金属膜桥 
MSOS电容器的研制及其C-V特性分析
《中南民族学院学报(自然科学版)》1996年第1期7-11,共5页龚道本 
在MOS电容器的基础上提出了一种新型的电容器,它是由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体4层结构组成的电容器,简称为MSOS电容器,用C-V仪画出了它的C-V特性曲线;并用能带模型对此特性进行了分析,该电容器的特性是通...
关键词:MSOS电容器 耗尽层电容C C-V特性 压控电容器 
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