亚微米

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强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究
《微电子学》2021年第1期112-115,120,共5页刘玉奎 殷万军 谭开洲 崔伟 
重庆市科委基金资助项目(scc2019jscx-fxyd0178)。
采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电...
关键词：微分负阻 碰撞电离 MOS-Bipolar复合模式 静电释放 
深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究被引量：2
《微电子学》2021年第1期121-125,共5页仲崇慧 于晓权 
对深亚微米NMOS和PMOS管进行了^(60)Coγ总剂量辐射实验。实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强。对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析。分析结果表明,不同的衬底类型导致了PMOS管和N...
关键词：辐照损伤 总剂量 噪声 匹配特性 抗辐射设计 
深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究被引量：2
《微电子学》2019年第5期729-734,共6页高成 张芮 王怡豪 黄姣英 
十三五计划微电子预研项目(6140002010202)
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值...
关键词：CMOS反相器 单粒子瞬态效应 TCAD仿真 脉冲激光试验 
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应被引量：1
《微电子学》2015年第5期666-669,共4页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂...
关键词：深亚微米 NMOSFET 总剂量效应 窄沟效应 
一种含LDE效应的深亚微米电路设计流程
《微电子学》2015年第5期670-672,共3页冯光涛 陈先敏 杨家奇 
国家科技重大专项02专项资助项目(2013ZX02301-001)
介绍了一种包含LDE效应的深亚微米电路设计流程。分析了100nm以下工艺节点LDE效应对器件的影响,以及传统集成电路设计方法的局限性。在此基础上,提出了包含LDE效应的电路设计方法,并通过中芯国际先进工艺节点的模拟电路设计实例进行了...
关键词：LDE效应 深亚微米 电路设计流程 模拟集成电路 
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应
《微电子学》2015年第4期537-540,544,共5页文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 
国家自然科学基金资助项目(11005152)
为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器...
关键词：深亚微米 NMOSFET 电子辐照 总剂量效应 
亚微米集成电路的ESD保护设计
《微电子学》2012年第2期206-209,共4页袁博鲁 万天才 
介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点;提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成电路的全芯片ESD保护设计。
关键词：亚微米集成电路 ESD保护 电压箝位 
深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型被引量：5
《微电子学》2012年第2期250-254,共5页刘富财 蔡翔 罗俊 刘伦才 石建刚 
随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题。重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及...
关键词：深亚微米器件 CMOS 集成电路 可靠性机理 可靠性模型 
ASIC物理设计中的时钟树综合优化研究被引量：8
《微电子学》2011年第6期872-875,共4页潘静 吴武臣 侯立刚 彭晓宏 
国家自然科学基金资助项目(60976028)
以一款基于HJTC 0.18μm工艺的YAK SOC芯片为例,根据其时钟结构,提出一种能有效减小时钟偏移的方法,该方法通过在门级将时钟根节点分解成若干伪时钟源实现。基于该方法,采用布局布线工具,对YAK SOC芯片进行时钟树综合,得到了较好的效果...
关键词：深亚微米 专用集成电路 片上系统 时钟偏移 时钟树综合 
深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响被引量：1
《微电子学》2011年第2期300-303,共4页李海霞 毛凌锋 查根龙 
国家自然科学基金资助项目(60606016)
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,...
关键词：氧空位 栅漏电流 深亚微米器件 
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